甲胺鉛碘鈣鈦礦吸光層的制備、結(jié)構(gòu)與光學性質(zhì).pdf

1、學校代碼：10126分類號：——論文題目學號：31246053編號：甲胺鉛碘鈣鈦礦吸光層的制備、結(jié)構(gòu)與光學性質(zhì)學院：物理科學與技術(shù)學院專業(yè)：物理電子學研究方向：半導體薄膜材料姓名：白曉兵指導教師：秦艷麗、門克內(nèi)木樂2015年4月10日內(nèi)蒙古大學碩士學位論文甲胺鉛碘鈣鈦礦吸光層的制備、結(jié)構(gòu)與光學性質(zhì)摘要近年來，基于甲胺鉛碘(CH3NH3Pbl3)吸光材料的鈣鈦礦太陽能電池獲得了快速發(fā)展，效率己由最初的38％提升到202％。CH3NH3Pb

2、l3是直接帶隙半導體，具有寬的光譜吸收及優(yōu)異的載流子遷移性質(zhì)，非常適合作太陽能電池的吸光材料。本文分別采用一步溶液法和兩步溶液法在介孔Tio：電極上制備了CH，NH。PbI。薄膜。研究主要工藝參數(shù)對薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌及光學性質(zhì)的影響。借助X射線衍射(Ⅺm)、掃描電子顯微鏡(SEM)、能量色散X射線譜(EDS)等測試手段對薄膜的結(jié)構(gòu)、形貌、成分分布進行表征，用紫外可見分光光度計(UVViS)表征薄膜的光吸收性能。通過對一步法制備的薄膜在不同

3、溫度下退火，發(fā)現(xiàn)一步法制備的CH3NH3Pbl3薄膜在Ti02電極上的覆蓋率較低，提高退火溫度會使薄膜發(fā)生收縮，進一步降低薄膜的覆蓋率。為了提高薄膜在電極上的覆蓋率，我們采用兩步法制備CH3NH3Pbl3薄膜，發(fā)現(xiàn)兩步法制備的薄膜中含有較高的Pbl2雜相。通過調(diào)節(jié)Pbl2的旋涂轉(zhuǎn)速、退火溫度及Pbl2前驅(qū)體的濃度等，對實驗條件進行優(yōu)化。結(jié)果表明通過提高Pbl2前驅(qū)體濃度有利于提高CH3mPbI，成核密度，增加薄膜的表面覆蓋率。另外，Pb