高純氧化釹ICP-AES無基體匹配定量分析方法的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文采用ICP攝譜法對高純氧化釹的基體效應(yīng)—光譜干擾和非光譜干擾進行研究和校正.通過"最佳工作參數(shù)+干擾系數(shù)校正"法和"干擾系數(shù)+干擾因子聯(lián)合校正"法對了氧化釹的基體效應(yīng)進行了有效校正,實現(xiàn)了高純氧化釹無基體匹配定量分析.該文還對氧化釹非光譜干擾的機理進行了研究,測定了ICP參數(shù)Texc和N<,e>.干擾因子的計算表明:氧化釹基體非光譜干擾是活度系數(shù)項和Boltzmann項共同作用的結(jié)果.此外,還測定了稀土雜質(zhì)檢出限和氧化釹基體的關(guān)系,

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