核殼結(jié)構(gòu)量子點(diǎn)的厚殼層快速制備及其光學(xué)性質(zhì).pdf

1、憑借熒光可調(diào)等特點(diǎn)，膠狀半導(dǎo)體量子點(diǎn)在探測(cè)、顯示和照明等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。本論文工作基于光穩(wěn)定性和熒光量子產(chǎn)率的提高，主要研究了量子點(diǎn)的厚殼層快速制備與摻錳Ⅰ型和Ⅱ型量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)。
　　量子點(diǎn)的光穩(wěn)定性可采用無(wú)機(jī)寬禁帶材料的厚殼層包覆來(lái)提高。通過(guò)優(yōu)化配體和前驅(qū)體濃度等因素可以在6分鐘內(nèi)實(shí)現(xiàn)ZnS厚殼層（～20個(gè)分子層）的“flash”快速制備，并探討了快速制備的機(jī)理。進(jìn)一步優(yōu)化的“flash”快速制備有利于獲得更窄的尺寸

2、分布、更高的熒光量子產(chǎn)率和尺寸限制的突破。厚殼層的快速制備既能提高量子點(diǎn)的光穩(wěn)定性，又有利于降低其制備成本;從而有利于量子點(diǎn)的工業(yè)化應(yīng)用。
　　對(duì)于一鍋法生長(zhǎng)摻雜與“flash”快速制備的組合策略，為避免Mn2+離子的過(guò)度擴(kuò)散，注入溫度和生長(zhǎng)溫度分別降低至340℃和315℃，厚殼層摻錳CdS/ZnS量子點(diǎn)(～14個(gè)ZnS分子層)的熒光量子產(chǎn)率可從25％提高至36％。進(jìn)一步地，實(shí)施了熱注入法成核摻雜與優(yōu)化“flash”快速制備的優(yōu)化

3、組合策略;所制備厚殼層摻錳CdS/ZnS量子點(diǎn)（～18個(gè)ZnS分子層）具有高的熒光量子產(chǎn)率（達(dá)40％），且展現(xiàn)了可應(yīng)用的高光穩(wěn)定性（直接封裝在紫光LED芯片表面進(jìn)行測(cè)試）。
　　在Ⅱ型量子點(diǎn)中，熱激子冷卻和冷激子輻射復(fù)合均比較慢，從而激子容易遭受陷阱中心的俘獲;這大大降低了Ⅱ型量子點(diǎn)的熒光量子產(chǎn)率。因此，Mn2+離子被引作激子耦合器來(lái)增強(qiáng)Ⅱ型CdS/ZnSe/ZnS量子點(diǎn)（熒光壽命的時(shí)間尺度:～100納秒）的激子發(fā)射（熒光量子產(chǎn)率