場致發(fā)射中和器的設(shè)計與制備.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著各國在太空探索領(lǐng)域的不斷深入,對航天器的性能要求逐漸提高,電推進器開始逐步成為各國研究的熱點。作為電推進器中非常重要的一部分,中和器的性能提升對于航空航天推進領(lǐng)域有著至關(guān)重要的作用。由此對中和器的壽命、能源消耗、環(huán)境適應(yīng)性以及發(fā)射電流有更高的要求,碳納米管場致發(fā)射電子源中和器以其出色的綜合性能,成為如今研究的主流。
  基于碳納米管場致發(fā)射陰極中和器最大的特點就是結(jié)構(gòu)簡單,體積小,功耗低,并且不需要配備工作介質(zhì)存儲設(shè)備或閥門等

2、相關(guān)設(shè)施,非常適用于小型或微型電推進系統(tǒng)中。但隨著研究的深入,碳納米管場致發(fā)射陣列也存在一些難以解決的問題,例如其發(fā)射電流密度較低,發(fā)射穩(wěn)定性不夠好等問題一直沒有很好的改進方法。
  本文將對以碳納米管場致發(fā)射陣列為電子源的中和器進行研究,探索碳納米管穩(wěn)定生長的工藝。通過微波等離子體化學氣相場沉積法(MW-PECVD)制備出形貌良好,發(fā)射電流高的碳納米管場致發(fā)射陣列。使用電子束仿真模擬軟件優(yōu)化中和器結(jié)構(gòu),設(shè)計出符合要求的中和器。最

3、后對制備的碳納米管場致發(fā)射陣列進行電子發(fā)射性能測試。本文的主要實驗內(nèi)容如下:
  1.碳納米管制備工藝。通過光刻、沉積催化劑、MW-PECVD法等一系列碳納米管陣列制備的工藝流程,制備形貌良好,與基底垂直,場致發(fā)射電流密度達到4.5 A/cm2的碳納米管場致發(fā)射陣列作為中和器的電子源。在實驗過程中對各種問題進行總結(jié),探索出最佳的工藝參數(shù)。
  2.中和器電子光學系統(tǒng)的設(shè)計與優(yōu)化。為了使發(fā)射出的電子能有效發(fā)射到太空中中和電推進

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