H-,2--C-,2-H-,2-系統(tǒng)電子助進(jìn)熱絲化學(xué)氣相沉積動力學(xué)過程研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該工作采用蒙特卡羅方法,首次對以H<,2>/C<,2>H<,2>為源氣體合成金剛石薄膜的EACVD過程進(jìn)行了研究,初步建立了EACVD氣相動力學(xué)模型.主要結(jié)果如下:(1)研究了氫原子的產(chǎn)生及其空間分布隨實驗條件的變化.給出了氣體溫度聚平均溫度及取隨空間變化的溫度時,偏壓為100V、200V、300V的條件下,氫原子的產(chǎn)生;(2)研究了低溫淀積金剛石的生長機制,提出了金剛石生長所需的基片溫度和基片表面上含碳粒子能量的關(guān)系,并且指出:如果要

2、獲得高質(zhì)量的金剛石薄膜,除了含碳物種具有沿著基片表面擴(kuò)散的能力外,還要求有大量的氫原子存在;(3)提出了一種由氫原子譜線測定電子平均能量的方法,結(jié)果對EACVD生長金剛石薄膜過程中,實時監(jiān)測電子平均能量具有重要的意義,進(jìn)而可以有效地控制工藝條件,生長出高質(zhì)量的金剛石薄膜;(4)給出了在不同E/N條件下,電子在乙炔分子中的漂移速度曲線,及在不同E/N條件下,電子的能量分布情況.上述結(jié)果對于EACVD合成金剛石薄膜中實驗參數(shù)的選擇及低溫下合

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