版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)
文檔簡介
1、隨著空間活動(dòng)的不斷增多,DSP發(fā)揮著越來越突出的作用,空間環(huán)境下其輻射效應(yīng)備受關(guān)注,總劑量效應(yīng)是最主要的輻射效應(yīng)之一。總劑量效應(yīng)會(huì)導(dǎo)致器件閾值電壓變化進(jìn)而引起漏電流的增加以及延遲變化。因此DSP運(yùn)用于航天系統(tǒng)之前,必須做DSP地面總劑量輻射實(shí)驗(yàn),以評估其抗輻照能力。
本文以TMS320C6701 DSP為研究對象。首先在了解該器件結(jié)構(gòu)特點(diǎn)的基礎(chǔ)上,在滿足DSP總劑量實(shí)驗(yàn)方案和DSP總劑量實(shí)驗(yàn)要求的前提下,根據(jù)系統(tǒng)所要實(shí)現(xiàn)的功能
2、選擇合理的FPGA與DSP的子母板結(jié)構(gòu),提出一個(gè)DSP總劑量實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的總體方案。其次,完成了子板的設(shè)計(jì),子板上為被測DSP的最小系統(tǒng),包括電源、復(fù)位電路、時(shí)鐘電路、EMIF總線接口和仿真接口等部分,調(diào)試結(jié)果表明硬件系統(tǒng)完全可以支持DSP的地面總劑量靜態(tài)和動(dòng)態(tài)輻照實(shí)驗(yàn)。為了完成DSP的動(dòng)態(tài)實(shí)驗(yàn),論文最后完成了DSP與FPGA之間通信的三個(gè)接口代碼的設(shè)計(jì),包括HPI接口讀寫模塊,EMIF接口讀寫模塊和McBSP接口模塊,并進(jìn)行了仿真。仿真結(jié)
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- DSP的總劑量效應(yīng)研究.pdf
- FinFET SRAM總劑量效應(yīng)研究.pdf
- SRAM存儲器總劑量效應(yīng)研究.pdf
- Flash存儲器總劑量效應(yīng)研究.pdf
- 新型抗總劑量效應(yīng)版圖的加固器件
- NMOS晶體管電離輻照總劑量效應(yīng)研究.pdf
- IO電路的總劑量效應(yīng)及最劣偏置分析.pdf
- webex抗抑郁劑劑量效應(yīng)關(guān)系
- 番茄紅素調(diào)節(jié)大鼠血脂的劑量效應(yīng)研究.pdf
- 不同染毒方式致大鼠氟中毒的劑量效應(yīng)研究.pdf
- α、γ射線聯(lián)合照射劑量效應(yīng)與新型蛋白生物劑量計(jì)研究.pdf
- 隱孢子蟲攻擊免疫抑制小鼠的劑量效應(yīng)研究.pdf
- 納洛酮治療急性重型顱腦損傷劑量效應(yīng)關(guān)系的臨床研究.pdf
- 多氯聯(lián)苯對人肺纖維細(xì)胞的雙相劑量效應(yīng)研究.pdf
- 努力去忘就能忘掉嗎?——情緒材料定向遺忘的劑量效應(yīng).pdf
- 烏司他丁用于膿毒癥大鼠CLP模型的劑量效應(yīng)研究.pdf
- 離子注入小麥誘變劑量效應(yīng)及轉(zhuǎn)化后代遺傳特性研究.pdf
- 基于ROS治療腫瘤的關(guān)鍵問題--ROS與其劑量效應(yīng)的探討.pdf
- 復(fù)雜DSP芯片γ射線瞬時(shí)輻照效應(yīng)測試系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn).pdf
- SOI CMOS器件的總劑量輻射效應(yīng)模擬及其加固設(shè)計(jì).pdf
評論
0/150
提交評論