浸沒(méi)式光刻兩級(jí)氣液分離回收系統(tǒng)的研制.pdf

1、隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與集成電路的不斷飛速發(fā)展，對(duì)于單塊芯片的集成度有了越來(lái)越高的要求。這意味著在硅片晶圓表面上刻蝕的線條也要求越來(lái)越細(xì)，而傳統(tǒng)的干式光刻技術(shù)已經(jīng)越來(lái)越不適用。在下一代光刻技術(shù)中脫穎而出的是浸沒(méi)式光刻技術(shù)，即在傳統(tǒng)的干式光刻系統(tǒng)最后一片投影物鏡的下表面與硅片之間填充高折射率的液體。經(jīng)過(guò)對(duì)比，局部浸沒(méi)法最優(yōu)，但是需要保持浸沒(méi)液體的持續(xù)更新，同時(shí)保證液體不能泄漏。這就需要在持續(xù)的注液，以及注氣維持密封的條件下，設(shè)計(jì)合適的氣液回收系統(tǒng)

2、來(lái)與其他功能單元之間協(xié)調(diào)運(yùn)行，起到氣體和液體回收的作用，并保證浸沒(méi)單元內(nèi)部核心流場(chǎng)不受此影響。因此，設(shè)計(jì)一套適用于浸沒(méi)式光刻機(jī)的氣液回收系統(tǒng)就顯得尤為重要。
　　本課題針對(duì)浸沒(méi)式光刻系統(tǒng)對(duì)于氣液回收設(shè)計(jì)所提出的功能需求和性能需求展開(kāi)，設(shè)計(jì)了一套完善的浸沒(méi)式光刻兩級(jí)氣液回收系統(tǒng)，具體完成的工作包括以下的內(nèi)容。
　　分析不同氣液回收系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案，對(duì)比各自性能的優(yōu)缺點(diǎn)，將該系統(tǒng)的方案確定為氣液分離后再連續(xù)回收的設(shè)計(jì)。之后和02專

3、項(xiàng)的氣液回收系統(tǒng)進(jìn)行對(duì)比，完善其存在的缺點(diǎn)與不足，最終確定該系統(tǒng)為兩級(jí)氣液分離回收的系統(tǒng)。
　　在系統(tǒng)工藝流程方案設(shè)計(jì)的基礎(chǔ)之上確定了系統(tǒng)的工作流程，然后對(duì)元器件進(jìn)行選型，對(duì)所有的用電設(shè)備進(jìn)行電氣結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，最后確定系統(tǒng)為PLC+工控機(jī)的控制方式，根據(jù)工作流程編寫(xiě)了PLC控制程序。
　　根據(jù)選用元器件的外形尺寸，以及機(jī)柜設(shè)計(jì)的尺寸要求，將所有元器件及機(jī)柜進(jìn)行結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，同時(shí)考慮到設(shè)計(jì)安裝的需求，設(shè)計(jì)了一些安裝聯(lián)接件進(jìn)行虛擬組裝，