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1、以GaN為主的Ⅲ-V族氮化物近年來光電子材料領(lǐng)域研究的熱門課題.它具有寬直接帶隙、熱導(dǎo)率高、抗輔射能力強等特性,是最有潛力的高溫半導(dǎo)體材料.該室在1995年初設(shè)計研制成功國內(nèi)第一臺先進的ECR輔助MOCVD(見圖2-1).并從1995年下半年起,先后在藍(lán)寶石、Si和GaAs襯底上低溫(≤600℃)生長出六萬GaN單晶薄膜.接著又在GaAs襯底上生長出純立方GaN薄膜.但實驗裝置存在一個重要的問題就是實驗過程中大部分操作要靠手動來完成,誤
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