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憶阻器建模及憶阻器混沌應(yīng)用研究.pdf(71頁)
憶阻器是繼電阻、電感和電容之后的第四種基本電路元件其概念于1971年提出但直到2008年HP實驗室才發(fā)現(xiàn)TIO2在納米尺度下具有記憶電阻的特性。憶阻器是一種無源的非線性電路元件其阻值會隨著通過其自身電流量的改變而改變且電流中斷時其阻值會保持掉電瞬間的狀態(tài)。憶阻...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 經(jīng)歷風(fēng)雨 / 發(fā)布時間:2024-03-08 / 7人氣
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憶阻器模型電路設(shè)計與憶阻器混沌電路研究.pdf(77頁)
1971年華裔科學(xué)家蔡少棠提出了一種除電阻、電容和電感之外的第四種基本電子器件憶阻器,并給出了憶阻器的定義以及相關(guān)電路學(xué)理論,但由于科學(xué)技術(shù)的限制,一直沒有制作出憶阻器實物器件,直到37年后,納米形態(tài)下的憶阻器才由惠普實驗室制作出來,隨后吸引了眾多科學(xué)...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 消沉 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 13人氣
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NiO憶阻器阻變機理及器件研究.pdf(134頁)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,可縮小性(SCALABILITY)已成為目前主流的非揮發(fā)存儲技術(shù)FLASH存儲器的技術(shù)瓶頸。為了滿足當(dāng)今信息技術(shù)對于超高密度存儲技術(shù)的需要,多種新型存儲器被提出,其中憶阻器由于具有結(jié)構(gòu)簡單、操作電壓低、耐久性好和多級存儲等特性,被認為是替代F...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 負隅 / 發(fā)布時間:2024-03-05 / 5人氣
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惠普憶阻控制器與自旋憶阻存儲器的研究.pdf(66頁)
由于密集光刻成本的增加與晶體管尺寸難于繼續(xù)縮小,以晶體管為基礎(chǔ)的電子技術(shù)遭遇了發(fā)展瓶頸,導(dǎo)致智能計算機的發(fā)展一直停滯不前。而憶阻器的提出為智能計算機的發(fā)展提供了新活力,它是一種阻值變化依賴于通過它的電荷量或磁通量的新型電子器件,在此基礎(chǔ)上改進的電...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 以茶作酒 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 6人氣
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憶阻器及其建模研究.pdf(67頁)
憶阻器基礎(chǔ)理論、導(dǎo)電機理、器件制備和應(yīng)用技術(shù)等方面的研究已成為電子信息科學(xué)技術(shù)領(lǐng)域新的、革命性的前沿?zé)狳c,并在電子科學(xué)、計算機科學(xué)、材料學(xué)和智能生物學(xué)領(lǐng)域產(chǎn)生越來越多的重大科學(xué)技術(shù)成果。憶阻器被認為是替代硅芯片、延續(xù)摩爾定律的有力競爭者,可能在不...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 回不去了 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 13人氣
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跨阻濾波器設(shè)計.pdf(82頁)
模擬濾波器的設(shè)計,在現(xiàn)代通信及儀器儀表的發(fā)展中,一直扮演者非常重要的角色。當(dāng)我們要求電壓輸入電壓輸出時,我們可以使用多種電路,例如SALLENKEY,MFB,TOWTHOMAS等,并且這些有源濾波器的設(shè)計技術(shù)已經(jīng)發(fā)展的非常成熟。然而,隨著社會需求的不斷發(fā)展,有許多場合...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 浪喘 / 發(fā)布時間:2024-03-10 / 7人氣
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HfOx憶阻器的制備及其多阻態(tài)調(diào)控研究.pdf(54頁)
分類號學(xué)號M201372096學(xué)校代碼10487密級碩士學(xué)位論文HFOX憶阻器的制備及其多阻態(tài)調(diào)憶阻器的制備及其多阻態(tài)調(diào)控研究控研究學(xué)位申請人鐘姝婧學(xué)科專業(yè)軟件工程指導(dǎo)教師孫華軍副教授答辯日期201618獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學(xué)位論文是我個人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進行的研究工作...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 與我無關(guān) / 發(fā)布時間:2024-03-05 / 11人氣
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憶阻器模型仿真與憶阻混沌系統(tǒng)分析.pdf(65頁)
自2008年以來,很多學(xué)者致力于憶阻器相關(guān)研究,尤其是在憶阻器納米器件、建模、仿真和應(yīng)用等方面取得了顯著成果。目前,國內(nèi)對憶阻器的研究也取得了許多成果,但是,與國外研究相比,憶阻器的研究模型較為單一,主要是以HP公司的非線性模型為主,在其它類型憶阻器的...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 浮浣 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 6人氣
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基于SiOx薄膜的阻變存儲器阻變特性研究.pdf(77頁)
隨著科技的迅猛發(fā)展,越來越多的智能電子設(shè)備的產(chǎn)生使得人們對信息存儲的要求越來越高,現(xiàn)有存儲技術(shù)的缺陷日益凸顯。對于傳統(tǒng)的隨機存儲器,易失性成為其致命弱點,以FLASH閃存為代表的非易失性存儲技術(shù),也因其可縮小程度已經(jīng)到達物理極限阻礙了其進一步的發(fā)展應(yīng)用...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 奪走 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 5人氣
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外源甲烷(CH4)濃度、pH、鹽分含量對鹽堿土CH4吸收的影響研究.pdf(56頁)
學(xué)校代碼10135論文分類號學(xué)號20114015023研究生類別全日制碩士學(xué)位論文外源甲烷(外源甲烷(CH4)濃度、)濃度、PH、鹽分含量對鹽堿土、鹽分含量對鹽堿土CH4吸收的影響研究吸收的影響研究EFFECTSOFEXOGENOUSMETHANECONCENTRATIONPHSALTCONTENTONSALINEALKALISOILCH4U...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 弄巧 / 發(fā)布時間:2024-03-02 / 3人氣
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憶阻器模型和憶阻混沌電路的研究與仿真.pdf(79頁)
碩士學(xué)位論文碩士學(xué)位論文憶阻器模型和憶阻混沌電路的研究憶阻器模型和憶阻混沌電路的研究與仿真仿真學(xué)位類型學(xué)位類型學(xué)術(shù)型學(xué)位學(xué)科學(xué)科(專業(yè)學(xué)位類別)(專業(yè)學(xué)位類別)控制科學(xué)與工程作者姓名作者姓名游淼導(dǎo)師姓名及職稱導(dǎo)師姓名及職稱歐青立教授實踐導(dǎo)師姓名及...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 所有 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 7人氣
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基于憶阻器的非易失性存儲器研究.pdf(82頁)
隨著晶體管趨向于亞微米級一系列的問題開始出現(xiàn)包括制作工藝的困難和器件性能的限制如電子的運行難以控制等基于晶體管的傳統(tǒng)存儲技術(shù)遇到了發(fā)展瓶頸預(yù)計快閃存儲器將會在十年內(nèi)達到體積縮小的極限。因此迫切需要研制綜合性能更優(yōu)的新型存儲器以滿足信息化發(fā)展對初、...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 柚綠時 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 7人氣
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憶阻器讀寫電路的設(shè)計.pdf(46頁)
隨著蔡少棠提出了憶阻器的概念以后憶阻器被認為是除電阻器、電容器、電感器外的第四種基本電路元件它描述了電路理論中磁通量Φ和電荷量Q之間的關(guān)系。在隨后一段時間里憶阻器的研究沒有太大的進展直到2008年HP實驗室制出了憶阻器實物才證實了蔡少棠的這一基本理論。因...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 宇宙浩瀚 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 4人氣
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鈦基阻變存儲器的阻變特性及其機理探究.pdf(64頁)
現(xiàn)代信息技術(shù)遵循摩爾定律日新月異的高速發(fā)展中,對高密度、低功耗、高存取速度的追求使傳統(tǒng)的FLASH存儲器尺寸已逐漸接近其能縮小的物理極限,新一代非揮發(fā)性存儲器中相變存儲器(PRAM)、阻變存儲器(RRAM)、鐵電存儲器(FRAM)以及磁變存儲器(MRAM)在此背景下引...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 等待風(fēng)吹來 / 發(fā)布時間:2024-03-05 / 7人氣
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基于氧化鈦阻變存儲器的阻變機理分析.pdf(50頁)
隨著信息化時代的到來,大容量、低功耗和低成本的非揮發(fā)性存儲器在電子市場中占據(jù)著越來越重要的位置。然而,目前基于浮柵結(jié)構(gòu)的FLASH非揮發(fā)性存儲器逐漸走向物理極限,亟需尋求一種新型的非揮發(fā)性存儲器。阻變存儲器因其具有結(jié)構(gòu)簡單、與CMOS工藝兼容以及高密度存儲...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 夏末微涼 / 發(fā)布時間:2024-03-08 / 6人氣
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ch7 壓電式傳感器(45頁)
第7章壓電式傳感器,壓電式傳感器是由壓電元件作為轉(zhuǎn)換元件的有源傳感器。它可以將機械能轉(zhuǎn)化為電能,也可以將電能轉(zhuǎn)化為機械能。可以用于與力有關(guān)的物理量測量,如壓力,加速度,機械沖擊,振動等。,下頁,返回,圖庫,有源傳感器無需外接電源早在1680年,發(fā)過科學(xué)家皮...
下載價格:4 賞幣 / 發(fā)布人: 畢業(yè)設(shè)計 / 發(fā)布時間:2024-01-06 / 7人氣
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氧基阻變存儲器阻變機理和耐久性失效研究.pdf(63頁)
近年來,隨著智能手機、平板電腦、移動存儲等一系列高科技產(chǎn)品在人們生活中普及,非揮發(fā)性存儲器扮演著越來越重要的角色。然而,隨著工藝節(jié)點不斷向前推進,當(dāng)前主流的基于浮柵結(jié)構(gòu)的非揮發(fā)性存儲器FLASH開始遇到嚴重的技術(shù)瓶頸。針對這一情況,國內(nèi)外紛紛開展對下一...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 贗品 / 發(fā)布時間:2024-03-09 / 4人氣
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非揮發(fā)性阻變存儲器阻變機理及性能研究.pdf(138頁)
隨著半導(dǎo)體技術(shù)節(jié)點的不斷向前推進,目前主流的基于電荷存儲機制的浮柵FLASH存儲器正面臨著嚴重的技術(shù)挑戰(zhàn),如浮柵耦合、電荷泄漏、相鄰單元之間的串?dāng)_問題等,因此亟需尋找下一代非揮發(fā)性存儲器。目前,國際上研究較多的新型非揮發(fā)性存儲器主要有相變存儲器PRAM,磁...
下載價格:5 賞幣 / 發(fā)布人: 意中良人 / 發(fā)布時間:2024-03-05 / 2人氣
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基于憶阻器的處理器結(jié)構(gòu)的研究.pdf(56頁)
存儲墻問題是當(dāng)前限制計算機性能的主要原因,多核處理器的出現(xiàn)不僅沒有緩解這種情況,反而加劇了存儲墻問題。隨著處理器和存儲器之間性能差距的不斷擴大,處理器的計算時間已經(jīng)無法滿足訪存延遲的需要,處理器必須停頓等待存儲器返回結(jié)果,并且處理器等待存儲器訪問...
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27681.小型外旋立式射流減阻測試實驗平臺研究(93頁)
分類號密級UDC編號專業(yè)碩士學(xué)位論文(工程碩士)小型外旋立式射流減阻測試實驗平臺研究碩士研究生李照遠指導(dǎo)教師趙剛教授企業(yè)導(dǎo)師王勁松研究員學(xué)科、專業(yè)機械工程論文主審人許國玉教授哈爾濱工程大學(xué)2014年06月分類號密級UDC編號專業(yè)碩士學(xué)位論文(工程碩士)小型外...
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