憶阻器讀寫(xiě)電路的設(shè)計(jì).pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、隨著蔡少棠提出了憶阻器的概念以后,憶阻器被認(rèn)為是除電阻器、電容器、電感器外的第四種基本電路元件,它描述了電路理論中磁通量φ和電荷量q之間的關(guān)系。在隨后一段時(shí)間里憶阻器的研究沒(méi)有太大的進(jìn)展,直到2008年HP實(shí)驗(yàn)室制出了憶阻器實(shí)物才證實(shí)了蔡少棠的這一基本理論。因?yàn)閼涀杵骶哂屑{米級(jí)尺寸及記憶功能,在憶阻器模型分析、基礎(chǔ)電路分析、電子元件設(shè)計(jì)、集成電路以及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)等方面得到了研究學(xué)者的關(guān)注,使得憶阻器具有廣闊的應(yīng)用前景。
　　本文詳細(xì)分

2、析了憶阻器的特性、工作原理,推導(dǎo)了荷控憶阻器及磁控憶阻器的模型。在此基礎(chǔ)上提出了一種荷控憶阻器的理論模型。然后對(duì)該模型進(jìn)行了SPICE電路仿真,仿真結(jié)果和惠普實(shí)驗(yàn)室給出的憶阻器物理模型的特性曲線一致,相比于Hyongsuk Kim所提出的憶阻器模型,改進(jìn)的憶阻器模型的優(yōu)勢(shì)在于Ron、ofR的范圍可調(diào)、等效―離子遷移速率‖可調(diào)。
　　然后,本文研究了荷控憶阻器的電荷特性和頻率特性,根據(jù)憶阻器的電荷特性和頻率特性研究了讀取憶阻器阻值的

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