基于憶阻器的自動(dòng)增益控制電路設(shè)計(jì).pdf

1、憶阻器(memristor)被認(rèn)為是除電阻器、電容器、電感器外的第四種基本電路元件,它是一種具有記憶功能的納米級(jí)尺寸的非線性二端無(wú)源器件。目前,憶阻器已經(jīng)引起越來(lái)越多的研究學(xué)者的廣泛關(guān)注,是電路學(xué)研究的熱點(diǎn)和前沿問(wèn)題之一。
　　 本文詳細(xì)分析了憶阻器的特性,并提出了一種具有閾值電壓的非線性雜質(zhì)漂移憶阻器模型。在該模型中,當(dāng)憶阻器兩端的電壓低于閾值電壓時(shí),憶阻器的狀態(tài)保持不變;當(dāng)憶阻器兩端的電壓大于閾值電壓時(shí),憶阻器的狀態(tài)發(fā)生改變

2、。本文對(duì)該模型進(jìn)行了SPICE電路仿真,仿真結(jié)果和惠普實(shí)驗(yàn)室給出的憶阻器物理模型的特性曲線一致。
　　 另外,本文設(shè)計(jì)了一種憶阻器的阻值控制電路,脈沖電壓作為控制信號(hào)施加在憶阻器兩端,通過(guò)控制脈沖電壓的幅值或者持續(xù)時(shí)間可以改變憶阻器的阻值。在此基礎(chǔ)上本文提出了一種基于憶阻器的自動(dòng)增益控制電路。該自動(dòng)增益控制電路由憶阻器、運(yùn)算放大器、比較器和峰值檢測(cè)電路組成。當(dāng)電路輸出信號(hào)幅值低于(高于)參考信號(hào)電平時(shí),控制信號(hào)使得憶阻器的阻值減