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文檔簡介
1、該文首先闡述了導(dǎo)致高溫溶液法生長的KTP晶體c向電導(dǎo)率較高的形成機(jī)理,提出采用摻入特定元素的離子來降低KTP晶體c向電導(dǎo)率的方案.研究了生長高光學(xué)質(zhì)量、低電導(dǎo)率KTP晶體的工藝過程,指出晶體生長爐溫度場的均勻性、控溫精度、籽晶的質(zhì)量和定向以及降溫速度的快慢對晶體的光學(xué)質(zhì)量有著重要的影響.在晶體生長爐溫場均勻性高于2.5℃、控溫精度高于0.2℃、降溫速度為0.2℃~2℃的條件下,采用浸沒籽晶緩慢降溫法生長出宏觀無明顯缺陷的摻質(zhì)KTP晶體.
2、該文討論了KTP晶體生長的驅(qū)動(dòng)力和生長機(jī)制,研究了摻質(zhì)對KTP晶體生長習(xí)性的影響,并對其形貌進(jìn)行了描述和理論上的解釋.發(fā)現(xiàn)分別摻Rb<'+>、Cs<'+>離子的KTP晶體生長習(xí)性發(fā)生很大改變,晶體a向生長速度極其緩慢,a向尺寸增加不大,晶體外形成片狀,而摻Ga<'3+>離子的KTP晶體a向生長速度增大,a向尺寸變厚.同時(shí)也分析了KTP晶體生長過程中容易出現(xiàn)的缺陷—包裹體產(chǎn)生的原因,指出晶體表面過飽和度分布不均勻是出現(xiàn)包裹體的根本原因,并
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