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文檔簡介
1、DKDP晶體具有優(yōu)良的電光與非線性光學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于電光器件的制作方面，也是高功率固體激光系統(tǒng)中重要的光學(xué)器件材料。晶體的生長速度和晶體的質(zhì)量是目前研究的熱點(diǎn)。 首先重新測定了DKDP溶液濃度與溫度的關(guān)系，得到：C0=0.174+0.0038T[T為飽和溫度(℃)，C0為溶液平衡濃度(gDKDP/gsolution)]。本文然后采用常溫溶液降溫法全方位生長DKDP晶體，經(jīng)過多次實(shí)驗(yàn)，得到如下晶體生長工藝：點(diǎn)狀籽晶(4×4×1m
2、m3)，降溫最高起始溫度45.2℃，溶液pD=4.2-4.6，降溫速度為0.2-1.0℃/day，平均生長速度最大為1.2mm/day，由此得到的晶體動(dòng)態(tài)消光比為4012：1-4280：1，激光損傷閾值達(dá)到5.479GW/cm2，半波電壓為4300-5500V。 用重量法抽樣測定了DKDP晶體中的氘含量，結(jié)果顯示，DKDP晶體試樣的氘含量均大于95％。 本文還試圖對(duì)DKDP晶體通過摻Cs+進(jìn)行改性，用X射線衍射儀和X射線
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