σ-π共軛導(dǎo)電高分子[(SiH2)m-(CH=CH)n]k的理論研究.pdf

1、以硅為原料的導(dǎo)電高分子聚合物很多是依賴σ電子離域且具有較好的穩(wěn)定性，并且其電導(dǎo)率可以在絕緣體-半導(dǎo)體-金屬態(tài)較寬的范圍內(nèi)變化。含碳的導(dǎo)電高分子材料很多依賴π電子離域，穩(wěn)定性不理想?yún)s具有優(yōu)良的導(dǎo)電性能。于是有目的地組合配置σ-π離域的各級結(jié)構(gòu)將對開發(fā)新型導(dǎo)電高分子材料做出重要貢獻(xiàn)。近年來，改善高分子聚合物導(dǎo)電性能的方法普遍是在高分子聚合物的主鏈上引入一些基團(tuán)使之形成σ-π共軛導(dǎo)電高分子聚合物。因此，本文應(yīng)用計算化學(xué)相關(guān)軟件進(jìn)行理論研究，探

2、索σ-π共軛導(dǎo)電高分子[(SiH2)m-(CH=CH)n]k的反式和順式構(gòu)型導(dǎo)電性能的變化規(guī)律。
　　 本文利用ATK軟件結(jié)合Gaussian程序包計算了σ-π共軛導(dǎo)電高分子[(SiH2)m-(CH=CH)n]k（m=1、2、3、4，n=1、2、3，k=2、3、4）的反式和順式構(gòu)型的傳輸機(jī)理，結(jié)果表明，σ-π共軛導(dǎo)電高分子[(SiH2)m-(CH=CH)n]k中硅片段、摻雜的碳碳雙鍵個數(shù)、分子鏈長對其傳輸性質(zhì)有明顯影響，反式研究