實(shí)驗(yàn)一 晶體檢波及駐波比測(cè)量

1、微波工程基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)9實(shí)驗(yàn)一實(shí)驗(yàn)一駐波比測(cè)量與檢波晶體二極管檢波律測(cè)定駐波比測(cè)量與檢波晶體二極管檢波律測(cè)定一、一、實(shí)驗(yàn)?zāi)康呐c意義實(shí)驗(yàn)?zāi)康呐c意義1、熟悉測(cè)量線的使用方法；2、駐波測(cè)量是微波測(cè)量中最基本和最重要的內(nèi)容之一，幾乎在所有的微波測(cè)量中都涉及駐波比測(cè)量的，因此必須熟練掌握測(cè)量中小駐波、大中駐波的常用方法。二、二、實(shí)驗(yàn)原理與方法實(shí)驗(yàn)原理與方法1、駐波比定義：、駐波比定義：一個(gè)微波元件插入均勻波導(dǎo)以后，即會(huì)產(chǎn)生反射波，不同性能的元件引起反射

2、波的大小和相位都不相同，它與入射波合成后產(chǎn)生的駐波狀態(tài)也不相同。在駐波分布圖形上有駐EmaxEminEZ0d圖1.駐波的形成波波腹和駐波波節(jié)，波腹點(diǎn)的電場(chǎng)最大值為Emax，波節(jié)點(diǎn)的電場(chǎng)最小值為Emin。電壓駐波比是傳輸線中電場(chǎng)最大值與最小值之比，表示為（1）minmaxEE??傳輸線上波的傳播狀態(tài)也可用反射系數(shù)表示，即（2）)2(dEiErEiEr???????（2）式中：為雙口網(wǎng)絡(luò)的反射角；?d為雙口網(wǎng)絡(luò)輸入端到左側(cè)第一個(gè)駐波節(jié)點(diǎn)的距

3、離；是相位常數(shù)，其中是波導(dǎo)波長(zhǎng)。g???2?g?駐波比與反射系數(shù)之間的關(guān)系式為??（3）?????11?微波工程基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)11(7)2sinEEdEmg????式中Em為駐波波腹點(diǎn)的電場(chǎng)強(qiáng)度，d是以波節(jié)為零點(diǎn)向最大值Em方向的距離。由于晶體二極管檢波電壓正比于探針?biāo)谖恢玫碾妶?chǎng)強(qiáng)度，所以（7）式也可以表示為電壓的相對(duì)值即(8)duuugm??2sin??將電壓相對(duì)值代入（5）式得(9)2sinnidg?????????式中是電流相對(duì)讀數(shù)，

4、是探針位置的相對(duì)場(chǎng)強(qiáng)（即相對(duì)電壓）。根據(jù)i2sindg??（9）式能夠直接用實(shí)驗(yàn)的方法測(cè)出定標(biāo)曲線。uiO123(a)晶體定標(biāo)曲線（一般１～２段為線性，２～３段為平方律）(b)測(cè)量線終端短路時(shí)的駐波圖二ＥＥmＥmDOdd測(cè)量定標(biāo)曲線的步驟測(cè)量定標(biāo)曲線的步驟如下：(1)在調(diào)整好的測(cè)量線上用交叉讀數(shù)法測(cè)量波導(dǎo)波長(zhǎng)。當(dāng)測(cè)量線終端短路時(shí)，傳g?輸線上形成駐波，移動(dòng)測(cè)量線探針，測(cè)出兩個(gè)相鄰駐波最小點(diǎn)之間的距離，就可得到波導(dǎo)波長(zhǎng)。因此，如圖三所示，