膜片鉗技術試題

1、2010級碩士研究生膜片鉗技術試題級碩士研究生膜片鉗技術試題請用請用A4紙書面手寫，嚴禁抄襲。下學期開學后一周內交于先知樓紙書面手寫，嚴禁抄襲。下學期開學后一周內交于先知樓20樓2001室陸巍老師處，過期不侯！室陸巍老師處，過期不侯！問答題（共問答題（共100分）分）1、什么是膜片鉗技術？它的基本工作原理是什么？膜片鉗技術是一種能夠記錄膜結構中單一的離子通道蛋白質的開放和關閉的技膜片鉗技術是一種能夠記錄膜結構中單一的離子通道蛋白質的開放

2、和關閉的技術，即是測量單通道離子電流和電導的技術?；竟ぷ髟恚耗てQ技術是用術，即是測量單通道離子電流和電導的技術?；竟ぷ髟恚耗てQ技術是用玻璃微電極接觸細胞，形成吉歐姆玻璃微電極接觸細胞，形成吉歐姆(GΩ)阻抗，使得與電極尖端開口處相接的細阻抗，使得與電極尖端開口處相接的細胞膜的膜片與周圍在電學上絕緣，在此基礎上固定電位，對此膜片上的離子通胞膜的膜片與周圍在電學上絕緣，在此基礎上固定電位，對此膜片上的離子通道的離子電流道的離子電

3、流(pA級)進行監(jiān)測記錄的方法。進行監(jiān)測記錄的方法。2、膜片鉗實驗的基本操作步驟包括哪些？1、液體配制：主要根據研究通道的不同，配制相應的液體，基本原則是保持兩個平衡：滲透壓平衡和酸堿平衡。所有液體在使用前必須過濾。2.標本制備3.記錄4、資料分析：（1）一般電學性質：通過IV關系計算單通道電導，觀察通道有無整流。通過離子選擇性、翻轉電位或其它通道激活條件初步確定通道類型。（2）動力學：開放時間、開放概率、關閉時間、通道的時間依賴性失活

4、、開放與關閉類型（簇狀猝發(fā)（Burst）樣開放與閃動樣短暫關閉（flickering）），化學門控性通道的開、關速率常數等。（3）通過對全細胞激活曲線或失活曲線的分析，可得到半數激活或失活電壓Vh及斜率因子K。（4）藥理學：阻斷劑、激動劑或其它調制因素對通道活動的影響。（5）綜合分析得到最后結論。3、膜片鉗技術的應用范圍有哪些？1）分辨單通道電流，直接觀察通道的開閉過程。分辨單通道電流，直接觀察通道的開閉過程。2）區(qū)分離子通道的離子選擇

5、性及其門控性（如區(qū)分電壓或化學門控性通道）區(qū)分離子通道的離子選擇性及其門控性（如區(qū)分電壓或化學門控性通道），發(fā)現新的離子通道及亞型。發(fā)現新的離子通道及亞型。3）在記錄單個通道電流（在記錄單個通道電流（i）和全細胞電流（）和全細胞電流（I）的基礎上，可分別計算出細胞）的基礎上，可分別計算出細胞膜上的通道數（膜上的通道數（n）和開放概率（）和開放概率（p），依公式，依公式I=nip。4）用以檢測某些遞質能否打開通道，或是否接受第二信使的調控

6、（膜內面向用以檢測某些遞質能否打開通道，或是否接受第二信使的調控（膜內面向外式）外式）5）研究細胞膜上的信使物質對離子通道型受體的調節(jié)機制（應用全細胞記錄研究細胞膜上的信使物質對離子通道型受體的調節(jié)機制（應用全細胞記錄式）式）6）研究不同離子對通道特性的影響及細胞內信使物質如對離子通道型受體的研究不同離子對通道特性的影響及細胞內信使物質如對離子通道型受體的調節(jié)機制（內面向外膜片）調節(jié)機制（內面向外膜片）7）研究藥物對電壓或化學門控性通道

7、的影響。研究藥物對電壓或化學門控性通道的影響。4、膜片鉗記錄方法分為哪四類？各有何特點？膜片鉗的四種工作模式1.細胞貼附式（cellattached）破壞細胞生理功能完整性的缺點，記錄是在一個相對完整的神經結構上進行；破壞細胞生理功能完整性的缺點，記錄是在一個相對完整的神經結構上進行；2）電極以一個低電阻進入細胞內，這樣就可以較好的控制膜電位，另外由）電極以一個低電阻進入細胞內，這樣就可以較好的控制膜電位，另外由于電極與細胞膜形成的高阻

8、封接，這就可較好地顯示細胞固有的膜特性；于電極與細胞膜形成的高阻封接，這就可較好地顯示細胞固有的膜特性；3）由于電極尖端比較大，很易改變電極內溶液，以便控制細胞內環(huán)境，）由于電極尖端比較大，很易改變電極內溶液，以便控制細胞內環(huán)境，很易注入一些蛋白或酶至細胞內。很易注入一些蛋白或酶至細胞內。4）用一般常規(guī)微電極很難在比較小，年幼的神經元上作記錄，而全細胞記）用一般常規(guī)微電極很難在比較小，年幼的神經元上作記錄，而全細胞記錄適合研究各種錄適合

9、研究各種神經制備，各種類型的神經元。神經制備，各種類型的神經元。8、如何判斷膜片鉗記錄過程中已經形成良好的細胞封接？在電極入液之前，給它施加一個較大的正壓，有助于迅速形成良好的封接。在電極入液之前，給它施加一個較大的正壓，有助于迅速形成良好的封接。電極入液后，液接電阻可以不補償，當封接形成之后自然會消失。電極入液后，液接電阻可以不補償，當封接形成之后自然會消失。電極剛入水時測試脈沖所引起的電流呈方波，其幅度與電極電阻成反比。電極剛入水時

10、測試脈沖所引起的電流呈方波，其幅度與電極電阻成反比。電極尖端輕微觸壓細胞膜，電阻略有增大，噪聲略有降低。形成封接后，電流電極尖端輕微觸壓細胞膜，電阻略有增大，噪聲略有降低。形成封接后，電流方波幾乎消失，噪聲也急劇下降，兩個尖峰是快電容引起的電流。方波幾乎消失，噪聲也急劇下降，兩個尖峰是快電容引起的電流。為證實封接的形成，可以增加放大器的增益，從而可以觀察到除脈沖電壓為證實封接的形成，可以增加放大器的增益，從而可以觀察到除脈沖電壓的首尾兩