ba(mg,13ta,23)o,3微波陶瓷介電性能研究_第1頁
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文檔簡介

1、天津大學碩士學位論文Ba(MgTa)O微波陶瓷介電性能研究姓名:劉丹丹申請學位級別:碩士專業(yè):微電子學與固體電子學指導教師:吳順華20031201天津大學碩士學位論文ABSTRACTAceramicBa(MgmTa2,3)03(BMT)wasknownasoneofthecompoundhavingthe4(Bi/3曰;,3)03(A=BaSr;B’=M晷Zn;B。=Nb,Ta)complexperovskitestruetuxeItw

2、as也emostexcellentrepresentativeofthelow占,mic/owavedielectricceramicmaterials,whichcanbedevelopedasfiltersandresonatorsusinginthemicrowave丹equencyareaButthesinteringtemperatureofBMTwastoohightoabout1600℃,itCalleasilyinduc

3、ethevolatilizationoftheMg,TacomponentandthendeterioratethedielectricpropertiesThereforeitisnecessarytOstudyontheBMTceramicmaterial、ⅣitlltheproposetolowerthesinteringtemperatureandimprovethedielectricpropertiesInthispaper

4、tWOkindsofAsiteandBsitesubstitutedcompoundwerestudied,includingtheirinfluenceonthesystemsinterabalityanddielectricpropertiesTherelationbetweenmicrostructurechanginganditsdieleclriepropertieswasalsodiscussedBytheAsitesubs

5、titutionofs尹ionsfbrBa2ionsasolidsolutioncompound(BaLxSr。)(M91/3Ta2/3)03(BSMT)wasobtainedwhichofcomplexperovskitestructureAnewlowtemperaturephasehadbeenfoundasSrcontentX≥06Thisphasetransformationwascausedbythefillingofoxy

6、genoctahedral,andwasclarifiedtOhavealowersymmetrystructurecomparedwiththehexagonalstructureofBMTorSMTThenewlowtemperaturephasecandecreasethesInteringtemperatureofBSMTto1500℃Themicrostmcturechangingandtheunconventionaldie

7、lectricpropertiesofBSMTWasrelatedwiththelowtemperaturephasetransformationFortheadditionofBaSn03on(I—x)Ba(MgmTa始)03xBaSn03ceramic,B—siteSn4ionssubstitutedforM92orTa5ionsItWasfoundthatthesinterabilityofBMTceramiccouldbegre

8、atlyimprovedbytheadditionofBaSn03AdenseBMTceramicwith941%relativedensitycouldbeobtainedbytheadditionof015wt%BaSn03sinteredat1500℃for3hWhilethemicrowavedielectricpropertiesweresensitivelyrelatedwiththedensityoftheceramics

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