納米添加劑對(duì)Ba（Mg-,1-3-Ta-,2-3-）O-,3-微波陶瓷介電性能的影響研究.pdf

1、本論文工作從材料的微觀結(jié)構(gòu)出發(fā)，分析探討B(tài)MT陶瓷介電損耗與諧振頻率溫度系數(shù)(τf)的內(nèi)在機(jī)制與影響因素，以此為基礎(chǔ)通過(guò)摻雜納米添加劑對(duì)BMT系統(tǒng)介質(zhì)陶瓷進(jìn)行改性研究，主要研究目的是希望獲得同時(shí)具有良好燒結(jié)性能與優(yōu)異微波介電性能的BMT系統(tǒng)微波介質(zhì)材料。 1.對(duì)BMT陶瓷介電性能的理論研究進(jìn)行了總結(jié)分析：材料在微波頻率下的介電損耗分為內(nèi)部損耗與外部損耗，內(nèi)部損耗取決于材料的化學(xué)結(jié)構(gòu)組成與晶體結(jié)構(gòu)，外部損耗主要取決于材料的顯微結(jié)構(gòu)

2、；材料的介電常數(shù)溫度系數(shù)(τε)不僅與材料的化學(xué)組成有關(guān)，還會(huì)受到材料晶體結(jié)構(gòu)的影響，其原因在于晶體結(jié)構(gòu)的改變直接影響到材料微觀極化率的溫度依賴性。 2.使用多種金屬離子以傳統(tǒng)電子陶瓷工藝對(duì)BMT陶瓷進(jìn)行摻雜改性，通過(guò)經(jīng)典諧振子模型建立材料的離子物性參數(shù)與極性晶格振動(dòng)模的聯(lián)系，探討分析了不同位置取代離子對(duì)材料性能的作用影響及規(guī)律：BMT系統(tǒng)的εr與τf主要取決于材料的低頻區(qū)極性晶格振動(dòng)模的特性變化，系統(tǒng)的內(nèi)部損耗則取決于所有極性

3、晶格聲子的非諧效應(yīng)，通過(guò)摻雜取代可調(diào)整原BMT體系極性晶格振動(dòng)模的特性，進(jìn)而改善材料的微波介電性能。 3.將Sn4+與Mn2+分別以納米粉體和溶液的形式對(duì)BMT系統(tǒng)陶瓷進(jìn)行摻雜改性，獲得了具有良好燒結(jié)性能與優(yōu)異微波介電性能的BMT-BS系微波介質(zhì)陶瓷材料：摻雜1.5mol％Mn的0.85BMT-0.15BS系統(tǒng)在1450℃保溫4h后的τf近似為0ppm℃-1，體密度達(dá)到7.33g/cm3，εr為24.9，Q×f值為1.85×10