超晶格材料的子帶結(jié)構(gòu).pdf

1、從江崎等提出并制出CmAs／AlGaAs系超晶格以來，隨著超薄膜制備技術(shù)的發(fā)展，對超晶格結(jié)構(gòu)的研究獲得了很大的成績，特別是CmAs／AlGaAs系超晶格材料，由于它們的單晶生長、物理性質(zhì)控制比較容易，兩者的晶格常數(shù)相差不大，材料性質(zhì)比較相近等原因，這種超晶格結(jié)構(gòu)更是獲得了大量的研究。 到目前為止，計算材料能帶結(jié)構(gòu)的方法有很多。在這篇論文里，我們首次利用電子的干涉理論對超晶格材料的能帶結(jié)構(gòu)進行了計算和分析，并取得了較好的結(jié)果。

2、 我們首先研究了用分子束外延方法(MBE)制備的摻雜CmAs／A1GaAs超晶格材料在室溫下的光致發(fā)光行為，觀察到了與受主相關(guān)的發(fā)光峰及激子發(fā)光峰。并對不同激發(fā)波長下得到的發(fā)光譜進行了研究。同時通過對超晶格材料的光電流譜的測量，研究了超晶格材料的子帶結(jié)構(gòu)。論文主要包括以下幾部分。 第一章介紹了超晶格量子阱材料的基本概念，基本理論和基本性質(zhì)。 第二章介紹了超晶格量子阱材料的生長方法，闡述了分子束外延(MBE)的基本原理

3、，介紹了超晶格樣品的制備及對樣品的測試方法——光致發(fā)光。 第三章研究了GaAs／AIGAAs超晶格材料室溫下的光致發(fā)光行為。在室溫下測量了樣品的光致發(fā)光譜，根據(jù)理論計算分析了其發(fā)光峰的位置，對發(fā)光峰進行了指認。在室溫下，光致發(fā)光譜的強發(fā)光峰是GaAs／AlGaAs超晶格量子阱中處于阱口附近激發(fā)態(tài)上的電子與受主雜質(zhì)上的空穴復(fù)合發(fā)光引起的。 第四章研究了在77K低溫下測量的樣品的光電流，我們采用電子波動理論，通過考慮電子波在