InAs-GaSb超晶格結(jié)構(gòu)制備及性質(zhì)研究.pdf

1、2～5μm波段內(nèi)的激光由于具有較低的散射與吸收，因而在空間點(diǎn)對(duì)點(diǎn)通信、激光雷達(dá)、軍事目標(biāo)指示方面擁有重要的應(yīng)用前景。銻化物有源區(qū)的激光器是獲得該波段的一種最熱門的方式，但在制備上還存在晶格的失配、應(yīng)力影響銻化物發(fā)展。因此本文研究了同質(zhì)外延生長單層薄膜（GaSb襯底生長GaSb薄膜）和異質(zhì)外延生長超晶格（GaSb襯底生長 InAs/GaSb超晶格）及其性能表征，在超晶格周期內(nèi)部材料界面之間進(jìn)行界面控制，提高超晶格性能。
　　采用實(shí)驗(yàn)

2、結(jié)果與X’Pert Epitaxy軟件模擬材料外延生長的圖像相對(duì)比的方法，利用分子束外延技術(shù)將選取的GaSb襯底上控制生長參數(shù)生長GaSb薄膜。運(yùn)用XRD測量實(shí)際生長薄膜，明顯看出峰形尖銳。與模擬外延生長圖像幾乎吻合，說明外延薄膜的晶格質(zhì)量很好，從而確定了最佳的生長參數(shù)。
　　利用已確定的分子束外延技術(shù)的最佳生長參數(shù)生長了周期分別為10,20,50的InAs/GaSb超晶格，測得 X射線一級(jí)衍射峰半峰寬分別為303arcsec，1