硅微通道板打拿極技術(shù)研究.pdf

1、目前在國內(nèi)，對(duì)硅微通道板連續(xù)打拿極的研究還處于初步階段，有大量的理論和實(shí)際工作需要開展。
　　 連續(xù)打拿極是指具有一定導(dǎo)電特性的二次電子發(fā)射層，也即是由導(dǎo)電層和二次電子發(fā)射層組成。它提供了器件二次電子發(fā)射特性，也是硅微通道板的關(guān)鍵技術(shù)之一。對(duì)硅微通道板打拿極材料二次電子發(fā)射特性進(jìn)行研究與開發(fā)，是有其重要意義的，這一關(guān)鍵技術(shù)實(shí)現(xiàn)后，研制硅微通道板(Si-MCP)的形成即可實(shí)現(xiàn)。
　　 本論文主要是以硅微通道板內(nèi)壁連續(xù)打拿極

2、為研究內(nèi)容，在文中首先對(duì)打拿極的相關(guān)理論知識(shí)進(jìn)行了詳細(xì)闡述，在此基礎(chǔ)上，進(jìn)一步對(duì)連續(xù)打拿極材料進(jìn)行了深入分析，在制作工藝上提出了干法和濕法兩種制備方案，對(duì)其制作工藝進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)研究，并得到如下結(jié)論:
　　 (1)采用熱氧化和LPCVD技術(shù)在MCP通道內(nèi)部制備了SiO2絕緣層厚度為700nm，耐壓強(qiáng)度為3.1×1O<'6> V/cm。
　　 (2)采用LPCVD在MCP通道內(nèi)部制備的多晶硅薄膜電阻率約為3.7×lO<'5>Ω