15114.基于薄膜打拿極的微通道板研究_第1頁
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1、分類號：密級：可公開UDC：編號：基于基于薄膜打拿極薄膜打拿極的微通道板微通道板研究研究INVESTIGATIONOFMICROCHANNELPLATEBASEDONFILMDYNODE學位授予單位及代碼：長春理工大學（10186）學科專業(yè)名稱及代碼：物理電子學（077401）研究方向：光電成像器件與系統(tǒng)申請學位級別：碩士指導教師：端木慶鐸研究生：翟耘萱論文起止時間：2013.09—2015.12I摘要針對傳統(tǒng)微通道板氫還原過程中微通道

2、板器件的電阻和增益相互制約的矛盾，本文設計并制備出一種基于薄膜打拿極的微通道板。本文選取了AZO（ZnO和Al2O3的復合薄膜）做為薄膜打拿極的導電層材料，SiO2做為薄膜打拿極的發(fā)射層材料，設計了打拿極導電層的厚度是250μm，而發(fā)射層得厚度為5nm，根據(jù)理論分析，模擬了微通道板電子增益函數(shù)，通過實驗研究提出了以原子層沉積技術為基礎的薄膜打拿極微通道板的工藝制備方案，制備了薄膜打拿極微通道板器件，測試了器件的電阻和電子增益。微通道板器

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