芯片剝離過程分析及其機(jī)構(gòu)實(shí)現(xiàn).pdf

1、射頻識(shí)別（radio frequency identification）標(biāo)簽Inlay 封裝設(shè)備由基板輸送模塊（包括進(jìn)料和收料）、點(diǎn)膠模塊、貼裝模塊、熱壓模塊和檢測模塊組成。其中，貼裝模塊的頂針剝離裝置實(shí)現(xiàn)了芯片從晶圓（Wafer）盤上的剝離。頂針和Wafer 盤之間接觸力的大小以及接觸力作用下芯片的受力變形，直接決定了在剝離過程中芯片是否會(huì)發(fā)生碎裂，對(duì)芯片能否成功剝離至關(guān)重要。因此，本文對(duì)芯片剝離過程以及剝離過程中可能導(dǎo)致芯片碎裂的主

2、要影響因素展開研究。主要包括：在對(duì)芯片剝離方式進(jìn)行分類的基礎(chǔ)上，介紹了芯片剝離的過程，采用有限元法對(duì)剝離過程中芯片碎裂的主要影響因素進(jìn)行了分析，以此來指導(dǎo)頂針剝離裝置的設(shè)計(jì)并且成功地實(shí)現(xiàn)了芯片的剝離。主要內(nèi)容從下面三個(gè)方面展開論述：
　　 首先，采用四種不同標(biāo)準(zhǔn)對(duì)目前機(jī)構(gòu)中出現(xiàn)的芯片剝離方式進(jìn)行分類，討論了每種方式的適用范圍；分兩個(gè)階段討論了芯片剝離的過程，指出每個(gè)階段中最可能發(fā)生芯片碎裂的時(shí)刻；總結(jié)了剝離過程中芯片碎裂的影響因

3、素，并且確定了本文中將要重點(diǎn)研究的和機(jī)構(gòu)設(shè)計(jì)相關(guān)的兩個(gè)主要因素。
　　 其次，采用有限元法分析了不同頂針?biāo)俣群臀矫娣e情況下芯片的受力和變形，得出了芯片最大等效應(yīng)力隨著它們的變化趨勢，從而明確這兩個(gè)主要因素對(duì)芯片碎裂的影響方式。為了獲取有限元仿真需要的材料屬性、邊界條件等，開展了三個(gè)準(zhǔn)備試驗(yàn)：膜的拉伸試驗(yàn)、剝離力測量試驗(yàn)、芯片完全剝離試驗(yàn)。在此基礎(chǔ)上，提出了一種仿真結(jié)合試驗(yàn)驗(yàn)證的方法來獲取頂針剝離裝置的臨界速度值，相對(duì)于單純開展