有機磁阻效應的探索.pdf

1、自旋電子學主要利用電子自旋，研發(fā)新一代電子產品，而傳統(tǒng)的技術往往利用電荷來控制器件。它是凝聚態(tài)和材料物理研究的一個前沿領域。而有機磁阻效應作為自旋電子學的一個分支，正受到越來越多的關注。
　　 本文制備了傳統(tǒng)結構的三明治型有機器件，通過采用不同活性層材料，以及加入載流子傳輸層，觀測了這些器件的有機磁阻(OMR)效應，并分析了這些因素對OMR效應的影響，以及激子模型和三重態(tài)—順磁中心相互作用模型。具體的研究內容包括以下幾個方面：<

2、br>　　 首先，基于ITO/PEDOT/MEH-PPV/Al的器件結構，測量并分析了器件磁阻隨電壓和磁場變化的曲線。在電壓處于0-6V區(qū)間，電流變化率曲線有一個先上升后下降的過程，電流變化率在15％左右。用P3HT替換MEH-PPV，分析了兩種器件磁阻隨電壓變化曲線的異同。認為這兩種器件結果存在的差異來源于P3HT和MEH-PPV不同的電子遷移率，從而導致的低壓下器件中激子形成幾率的差異。
　　 其次，通過制備ITO/PED

3、OT/Alq3/LiF:Al器件，測量并分析了其磁阻隨電壓和磁場變化的曲線。通過在電極和活性層之間加入空穴阻擋層BCP或電子傳輸層C60，觀察到OMR效應的變化，加入BCP材料的器件在6V電壓，120mT磁場下的電流變化率從9％增長到約14％。這與器件中激子的形成存在聯(lián)系。不論是聚合物還是小分子作為活性層，器件的磁阻隨電壓變化的曲線都存在不止一個極值。
　　 最后，基于ITO/PEDOT/C60/A1結構的器件，研究了以不發(fā)光材