Au-SiO-,2-復(fù)合納米顆粒膜的制備和模板法制備SiO-,2-納米線.pdf

1、在近十幾年里，在氧化物基質(zhì)上生長金屬納米顆粒，由于它們的化學(xué)物理特性可以由顆粒的大小、形狀和相互作用來改變，引起了世界關(guān)注。特別是產(chǎn)生的表面效應(yīng)和量子尺寸效應(yīng)，極大的改變了它們的特性。在氧化物基質(zhì)上生長的金屬簇具有一些潛在的應(yīng)用，比如在異質(zhì)催化、氣敏元件和電磁材料中有重要的應(yīng)用。在這些金屬一氧化物納米復(fù)合材料中，以SiO2為基質(zhì)的金屬納米簇廣泛應(yīng)用在可控非線性集成光學(xué)器件上，這些器件的三階磁化率χ在表面等離子體共振頻率時顯著增強。SiO

2、2是玻璃以及以硅為主的微電子器件和光纖的重要組成部分，在電子和光學(xué)器件上有著基本和潛在的應(yīng)用，己逐漸成為一維納米材料重要的候選者。目前，國內(nèi)外有關(guān)薄膜形式的Au/SiO2納米粒子復(fù)合材料研究很少，因而具有相對比較廣闊的研究領(lǐng)域。 本文采用磁控濺射技術(shù)制備金屬納米顆粒分散氧化物Au/SiO2復(fù)合膜。采用此方法是由于濺射法是眾多方法中最佳方法之一，它可以在低溫和可控條件下獲得均勻的表面覆蓋，能夠?qū)u顆粒均勻的分散到SiO2基質(zhì)中，

3、比其它方法好的地方還有它能控制金屬含量，使金屬含量達到一個很高的值。我們還用自組裝方法制備了生長一維納米材料的模板，將Au/SiO2納米體系作為生長模板，基于VLS生長機制的催化輔助生長工藝生成SiO2納米線。 1.采用磁控濺射法后退火成功制備了表面均勻覆蓋的Au/SiO2復(fù)合納米顆粒膜。并用掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線衍射方法(XRD)對不同溫度退火后的Au/SiO2復(fù)合薄膜的表面形貌、微觀結(jié)構(gòu)進行了表征。得出最佳的生長條

4、件。 2.將復(fù)合膜1000℃退火時自組裝生成空間分布均勻(直徑約為70hm)的Au納米點。半導(dǎo)體自組織量子點材料在光電子與微電子器件領(lǐng)域具有重要的作用。它是制備性能優(yōu)良的光電子與微電子器件，如光纖通訊激光器、光電探測器、高電子遷移率晶體管、電光調(diào)制器等的主要選擇對象之一。在眾多的制備半導(dǎo)體量子點材料方法中，自組織方法生長量子點有許多特殊的優(yōu)點，因而自組織Au納米點的生長和物性表征成為目前低維半導(dǎo)體物理材料和器件研究領(lǐng)域一個熱點課