簡介：⑧論文作者簽名室望丕垂指導教師簽名論文評閱人1評閱人2評閱人3評閱人4評閱人S答辯委員會主席旦基爛一班宜雖委員1使苤拉教授．委員2圃蓮教援委員3童慈垡副教援委員4．一一一王盍立￡一副數(shù)援浙江大學研究生學位論文獨創(chuàng)性聲明本人聲明所呈交的學位論文是本人在導師指導下進行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特別加以標注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表或撰寫過的研究成果，也不包含為獲得逝姿盤堂或其他教育機構的學位或證書而使用過的材料。與我一同工作的同志對本研究所做的任何貢獻均己在論文中作了明確的說明并表示謝意。學位論文作者簽名套陟漫簽字日期加心年‘月／日學位論文版權使用授權書本學位論文作者完全了解迸姿盤鱟有權保留并向國家有關部門或機構送交本論文的復印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人授權盤至三盤堂可以將學位論文的全部或部分內容編入有關數(shù)據(jù)庫進行檢索和傳播，可以采用影印、縮印或掃描等復制手段保存、匯編學位論文。保密的學位論文在解密后適用本授權書學位論文作者簽名索眵％導師簽名簽字日期矽／S年6月F日簽字日期月7日／

簡介：首都師范大學碩士學位論文兩次諾貝爾物理學獎獲得者約翰巴丁姓名趙繼軍申請學位級別碩士專業(yè)科學技術史指導教師王士平20070512ABSTRACTJOHNBARDEENISAFAMOUSAMERICANPHYSICIST．SO缸．HEHASBEENTHEONLYSCIENTISTTHATEVERWONTWONOBELPRIZESINPHYSICS．HEWONTHE1956NOBELPRIZEINPHYSICSFORTHEINVENTIONOFTHETRANSISTORANDTHE1972NOBELPRIZEINPHYSICSFORTHEESTABLISHMENTOFTHETHEORYOFSUPERCONDUCTIVITY,USUALLYCONSIDEREDASTHEBCSTHEORY．BARDEEN’SRESEARCHTOUCHEDSEVERALALE．ASANDHEMADEGREATCONTRIBUTIONSTOTHEDEVELOPMENTOFPHYSICS．APARTFROMTHEPREDOMINANTACHIEVEMENTSINSCIENCE，BARDEENALSOMADECONTRIBUTIONSTOTHEDEVELOPMENTSTRATEGIESOFTHEINDUSTRIALENTERPRISESANDTHEPOLICIESOFGOVERNMENT．THETHESISISDIVIDEDINTOFIVEPARTS．THEFIRSTPARTISABIOGRAPHYOFJOHNBARDEEN．ITCONTAINSBARDEEN’SFAMILYBACKGROUND，STUDYINGEXPERIENCE，WORKINGEXPERIENCE，MAINACHIEVEMENTSANDSOON．THESECONDPARTREVIEWSTHEINVENTIONPROCESSOFTHEPOINTCONTACTTRANSISTOR,WHICHWASMADETHROUGHTHECOOPERATIONOFBARDEENANDBMTTAIN，DISCUSSESTHEIMPACTANDHELPFULINSPIRATIONOFTHETRANSISTOR，ANDANALYZESTHEREASONSTHATBARDEENWASRELUCTANTTEPARTFROMBELLLABS．THE吐DRDPARTREVIEWSTHEPROCESSOFTHEESTABLISHMENTOFTHEBCSTHEORYMADEBYBARDEEN，TOGETHERWITHCOOPERANDSCHRIEFFER，ANDSUMMARIZESTHEIMPACTANDTHESIGNIFICANCEOFTHEBCSTHEORY．THEFOURTHPARTINTRODUCESBARDCCN’SWORKANDCONTRIBUTIONSINTHEPERIODWHENHEACTECLASANADVISOROFINDUSTRIALENTERPRISESANDGOVERNMENT．THEFIFTHPARTOUTLINESBARDEEN’SCHARACTERANDSTYLEOFSCIENCE．KEYWORDSJOHNBARDEEN；PHYSICSHISTORY；THENOBELPRIZEINPHYSICS；TRANSISTOR；SUPERCONDUCTIVITY；ELEC打ONPHONONINTERACTION；BCSTHEORYII

簡介：第1頁（共10頁）高中物理學業(yè)水平測試物理知識點高中物理學業(yè)水平測試物理知識點必修一必修一1質點質點A用來代替物體的有質量的點稱為質點。這是為研究物體運動而提出的理想化模型。當物體的形狀和大小對研究的問題沒有影響或影響不大的情況下，物體可以抽象為質點。2參考系參考系A在描述一個物體的運動時，用來做參考的物體稱為參考系。（通常情況選擇地面為參考系）3路程和位移路程和位移A路程是質點運動軌跡運動軌跡的長度，路程是標量。位移表示物體位置的改變，大小等于始末位置的直線距離，方向由始位置指向末大小等于始末位置的直線距離，方向由始位置指向末位置位置。位移是矢量。在物體做單向直線運動時，位移的大小等于路程。4速度速度平均速度和瞬時速度平均速度和瞬時速度A速度是描述物體運動快慢的物理，VΔXΔT，速度是矢量，方向與運動方向相同。平均速度運動物體某一時間（或某一過程）的速度。瞬時速度運動物體某一時刻（或某一位置）的速度，方向沿軌跡上質點所在點的切線方向。5勻速直線運動勻速直線運動A在直線運動中，物體在任意相等的時間內位移都相等的運動稱為勻速直線運動。勻速直線運動又叫速度不變的運動。6加速度加速度A加速度是描述速度變化快慢速度變化快慢的物理量，與速度V，速度的變化ΔV均無必然聯(lián)系。它等于速度變化量跟發(fā)生這一變化量所用時間的比值，定義式是AΔVΔT（VTV0）ΔT，加速度是矢量，其方向與速度變化量的方向相同，與速度的方向無關。7用電火花計時器（或電磁打點計時器）測速度用電火花計時器（或電磁打點計時器）測速度A電磁打點計時器使用交流電源，工作電壓6V。電火花計時器使用交流電源，工作電壓220V。當電源的頻率是50HＺ時，它們都是每隔002Ｓ打一個點。用電火花計時器（或電磁打點計時器）測速度可以用公式求加速度為了減小誤差可采用逐差法求。注意2ATX對要正確理解連續(xù)、相等的時間間隔位移差2ATX2、常見計算（1），2BABBCT2CBCCDT（2）2CBCDBCATT8用電火花計時器（或電磁打點計時器）探究勻用電火花計時器（或電磁打點計時器）探究勻變速直線運動的速度隨時間的變化規(guī)律變速直線運動的速度隨時間的變化規(guī)律勻變速直線運動時，物體某段TXVVT2時間的中間時刻速度等于這段過程的平均速度9勻變速直線運動規(guī)律勻變速直線運動規(guī)律B速度公式位移公式ATVV02021ATTVX位移速度公式平均速度公式AXVV2202TXVVV201010勻變速直線運動規(guī)律的速度時間圖像勻變速直線運動規(guī)律的速度時間圖像AOABCDE307123827874962077740第3頁（共10頁）由接觸面的材料和粗糙程度決定。（01，N與G無關）無關）U（5）靜摩擦力靜摩擦力當一個物體在另一個物體表面上有相對運動趨勢所受到的另一個物體對它的阻礙作用（6）產(chǎn)生條件A、直接接觸B、接觸面粗糙C、有相對運動趨勢D、有彈力（7）方向總是與相對相對運動趨勢方向相反，可用平衡法來判斷。，可以是阻力，可以是動力，運動物體也可以受靜摩擦力。（8）大小MAX0FF1818力的合成和力的分解力的合成和力的分解B（1）合力與分力一個力產(chǎn)生的效果與原來幾個力共同作用產(chǎn)生的效果相同，這個力就叫那幾個力的合力。那幾個力就叫這個力的分力。求幾個力的合力叫力的合成，求一個力的分力叫力的分解。（2）力的合成方法用平行四邊形定則。合力隨夾角的增大而減小。兩個力合力范圍兩個力合力范圍2121FFFFF力的合成是唯一的。1919共點力作用下物體的平衡共點力作用下物體的平衡A（1）共點力的概念共點力是指作用于一點或作用線的延長線交于一點的各個力。（2）共點力作用下物體平衡的概念物體能夠保持靜止或者做勻速直線運動狀靜止或者做勻速直線運動狀態(tài)叫做平衡狀態(tài)。態(tài)叫做平衡狀態(tài)。（3）共點力作用下物體的平衡條件物體所受合外力為零，平衡條件物體所受合外力為零，即F合0，也就是物體的加速度為零。如果用正交分解法，可以立以下兩個方程（F合X0和F合Y0）。物體靜止在斜面上受力分析重力，支持力，摩擦力物體靜止在斜面上受力分析重力，支持力，摩擦力2020力學單位制力學單位制A（1）國際單位制（SI）就是由七個基本單位和用這些基本單位導出的單位組成的單位制。（2）國際單位制（SI）中的基本單位長度單位米，符號M、質量單位千克，符號㎏、時間單位秒，符號S。電流強度的單位安培，符號A；物質的量的單位摩爾，符號MOL；熱力學溫度的單位開爾文，符號K；發(fā)光強度的單位坎德拉，符號CD（3）力學中有三個基本單位長度的單位米，符號力學中有三個基本單位長度的單位米，符號M、質量單位千克，符號㎏、時間、質量單位千克，符號㎏、時間的單位秒，符號的單位秒，符號S。2121牛頓第一定律牛頓第一定律A一切物體總保持勻速直線運動狀態(tài)或靜止狀態(tài)，除非作用在它上面的力迫使它改變這種狀態(tài)這就是牛頓第一定律。牛頓第一運動定律表明，物體具有保持原來勻速直線運動狀態(tài)或靜止狀態(tài)的性質，我們把這個性質叫做慣性。牛頓第一定律又叫做慣性定律。量度物體慣性大小的物理量是它們的質量。質量越大，慣性越大，質量不變，慣性不變。2222實驗探究加速度與力、質量的關系（實驗探究加速度與力、質量的關系（B）研究方法控制變量法，先保持質量M不變，研究A與F之間的關系AF圖象，所得結論再保持F不變，研究A與M之間的關系。數(shù)據(jù)分析上作和A圖象，所得結論M1（1）實驗思路本實驗的基本思路是采用控制變量法。（2）實驗方案本實驗要測量的物理量有質量、加速度和外力。測量質量用天平，需要研究的是怎樣測量加速度和外力。①測量加速度的方案采用較多的方案是使用打點計時器，根據(jù)連續(xù)相等的時間T內的位移之差ΔSAT2求出加速度。FOA

簡介：2011年一、一、名詞解釋（每題名詞解釋（每題5分，共分，共10分）分）1、理想實驗法2、科學素養(yǎng)二、二、簡答題（每題簡答題（每題15分，共分，共90分）分）1、物理課程與教學論的研究對象是什么2、簡述物理學科一般的研究過程與方法。3、我國初中物理課程改革的基本理念有哪些4、物理概念教學大體經(jīng)過哪幾個階段5、物理課堂引入的基本技能有哪些6、新理論物理課程改革中評價的新理念有哪些三、三、論述題（每題論述題（每題25分，共分，共50分）分）1、簡述中學物理教材分析的依據(jù)。2、闡述科學探究式教學的操作程序和最關鍵的要素，并設計高中物理自由落體運動一節(jié)探究教學過程。2012年一、名詞解釋（每題一、名詞解釋（每題5分，共分，共10分）分）1、科學素養(yǎng)2、理想實驗法二、簡答題（每題二、簡答題（每題15分，共分，共90分）分）1、物理課程與教學論的主要研究對象是什么2、我國初中物理課程改革的基本理念有哪些3、物理教學內容的科學性的具體要求是什么4、物理規(guī)律教學大體經(jīng)過哪幾個階段5、物理課堂引入的基本技能有哪些6、新一輪物理課程改革中評價的新理念有哪些三、論述題（每題三、論述題（每題25分，共分，共50分）分）1、闡述科學探究式教學的操作程序和最關鍵的要素，并設計一個中學物理探究教學案例說明之。2、簡述中學物理教材分析的依據(jù)。

簡介：高中物理學業(yè)水平測試迎考復習考點一覽考前必讀1物理學業(yè)水平測試考點總結物理學業(yè)水平測試考點總結1質點質點A用來代替物體的有質量的點稱為質點。這是為研究物體運動而提出的理想化模型。當物體的形狀和大小對研究的問題沒有影響或影響不大的情況下，物體可以抽象為質點。2參考系參考系A在描述一個物體的運動時，用來做參考的物體稱為參考系。參考系可以任意任意選擇。3路程和位移路程和位移A路程是質點運動軌跡的長度，路程是標量。位移表示物體位置的改變，大小等于始末位置的直線距離，方向由始位置指向末位置。位移是矢量。在物體做單向直線運動單向直線運動時，位移的大小等于路程。4速度速度平均速度和瞬時速度平均速度和瞬時速度A速度是描述物體運動快慢的物理，VΔXΔT，速度是矢量，速度方向就是運動方向。平均速度運動物體某一段時間（或某一段過程）的速度。瞬時速度運動物體某一時刻（或某一位置）的速度，方向沿軌跡上質點所在點的切線方向。5勻速直線運動勻速直線運動A在直線運動中，物體在任意相等的時間內位移都相等的運動稱為勻速直線運動。勻速直線運動又叫速度不變速度不變的運動。6加速度加速度B加速度是描述速度變化快慢的物理量，它等于速度變化量跟發(fā)生這一變化量所用時間的比值，定義式是AΔVΔT（VTV0）ΔT，加速度是矢量，其方向與速度變化量的方向速度變化量的方向相同，與速度的方向無關。即使速度大小不變，但方向改變，加速度也不為零速度大小不變，但方向改變，加速度也不為零。7探究、實驗用電火花計時器（或電磁打點計時器）探究勻變速直線運探究、實驗用電火花計時器（或電磁打點計時器）探究勻變速直線運動的速度隨時間的變化規(guī)律動的速度隨時間的變化規(guī)律A電磁打點計時器使用交流交流電源，工作電壓在6V以下。電火花計時器使用交流電源交流電源，工作電壓220V。當電源的頻率是50HＺ時，它們都是每隔002Ｓ打一個點。高中物理學業(yè)水平測試迎考復習考點一覽考前必讀311自由落體運動自由落體運動A（1）概念物體只在重力只在重力作用下從靜止開始從靜止開始下落的運動，叫做自由落體運動（2）實質自由落體運動是初速度為零的勻加速直線運動，加速度叫做自由落體加速度，也叫做重力加速度。（3）規(guī)律從下落開始有VGT；H；VT22GH。221GT12伽利略對自由落體運動的研究伽利略對自由落體運動的研究A科學研究過程（1）對現(xiàn)象的一般觀察（2）提出假設（3）運用邏輯得出推論（4）通過實驗對推論進行檢驗（5）對假說進行修正和推廣伽利略“銅球沿斜面運動”的實驗了解“沖淡重力”的思想伽利略科學思想方法的核心是把實驗和邏輯推理和諧結合起來。說明直線運動不討論有往復運動的情形，不要求用二次函數(shù)解復雜的追擊問說明直線運動不討論有往復運動的情形，不要求用二次函數(shù)解復雜的追擊問題13力力A（1）力是一個物體對另外一個物體的作用，有受力物體必定有施力物體。（2）力的三要素力有大小、方向、作用點，是矢量。（3）力的表示方法示意圖（右圖）用一根帶箭頭的線段表示力；圖示（左圖）有比例標度、帶箭頭表示力的線段上還需標有刻度。（4）力的作用效果使物體的運動狀態(tài)發(fā)生改變、發(fā)生形變。14重力重力A（1）產(chǎn)生是由于地球的吸引而使物體受到的力，不等于萬有引力，不等于萬有引力，是萬有引力的一F150NF150N50N

簡介：物理學史教學內容教學內容近代物理學史總結近代物理學史總結一、力學一、力學1、1638年，意大利物理學家伽利略伽利略在兩種新科學的對話中用科學推理論證重物體和輕物體下落一樣快；并在比薩斜塔比薩斜塔做了兩個不同質量的小球下落的實驗，證明了他的觀點是正確的，推翻了古希臘學者亞里士多德里士多德的觀點（即質量大的小球下落快是錯誤的）；2、1654年，德國的馬德堡市做了一個轟動一時的實驗馬德堡半球實驗馬德堡半球實驗；3、17世紀，伽利略伽利略通過構思的理想實驗理想實驗指出在水平面上運動的物體若沒有摩擦，將保持這個速度一直運動下去；得出結論力是改變物體運動的原因力是改變物體運動的原因，推翻了亞里士多德亞里士多德的觀點力是維持物體運動的原因。力是維持物體運動的原因。同時代的法國物理學家笛卡兒笛卡兒進一步指出如果沒有其它原因，運動物體將繼續(xù)以同速度沿著一條直線運動，既不會停下來，也不會偏離原來的方向。4、英國物理學家胡克胡克對物理學的貢獻胡克定律胡克定律；經(jīng)典題目胡克認為只有在一定的條件下，彈簧的彈力才與彈簧的形變量成正比（對）5、17世紀，德國天文學家開普勒開普勒提出開普勒三大定律開普勒三大定律；6、1687年，英國科學家牛頓牛頓在自然哲學的數(shù)學原理自然哲學的數(shù)學原理著作中提出了三條運動定律（即牛頓三大運動定律）和萬有引力定律；1798年英國物理學家卡文迪許卡文迪許利用扭秤實驗扭秤實驗裝置比較準確地測出了引力常量引力常量；7、1846年，英國劍橋大學學生亞當斯亞當斯和法國天文學家勒維耶勒維耶應用萬有引力定律，計算并觀測到海王星海王星，1930年，美國天文學家湯苞湯苞用同樣的計算方法發(fā)現(xiàn)冥王星冥王星。8、20世紀初建立的量子力學和愛因斯坦提出的狹義相對論表明經(jīng)典力學不適用于微觀粒子和高速運動物明經(jīng)典力學不適用于微觀粒子和高速運動物體。體。二、電磁學二、電磁學9、1752年，富蘭克林富蘭克林在費城通過風箏實驗風箏實驗驗證閃電是放電的一種形式，把天電與地電統(tǒng)一起來，并發(fā)明發(fā)明避雷針避雷針。10、1785年法國物理學家?guī)靵鰩靵隼门こ訉嶒炁こ訉嶒灠l(fā)現(xiàn)了電荷之間的相互作用規(guī)律庫侖定律庫侖定律，并測出了靜電靜電力常量力常量K的值。11、1837年，英國物理學家法拉第法拉第最早引入了電場電場概念，并提出用電場線電場線表示電場。12、1913年，美國物理學家密立根密立根通過油滴實驗油滴實驗精確測定了元電荷元電荷E電荷量電荷量，獲得諾貝爾獎。第3頁共8頁30、1864年，英國物理學家麥克斯韋麥克斯韋發(fā)表電磁場的動力學理論電磁場的動力學理論的論文，提出了電磁場理論，預言了電預言了電磁波的存在，指出光是一種電磁波，磁波的存在，指出光是一種電磁波，為光的電磁理論奠定了基礎。電磁波是一種橫波31、1887年，德國物理學家赫茲赫茲用實驗證實了電磁波的存在，實驗證實了電磁波的存在，并測定了電磁波的傳播速度等于光速。32、1894年，意大利馬可尼馬可尼和俄國波波夫波波夫分別發(fā)明了無線電報無線電報，揭開無線電通信的新篇章。33、1800年，英國物理學家赫歇耳赫歇耳發(fā)現(xiàn)紅外線紅外線；1801年，德國物理學家里特里特發(fā)現(xiàn)紫外線；紫外線；1895年，德國物理學家倫琴倫琴發(fā)現(xiàn)X射線（倫琴射線）射線（倫琴射線），并為他夫人的手拍下世界上第一張世界上第一張X射線的人體照射線的人體照片。六、光學和波粒二象性六、光學和波粒二象性34、1801年，英國物理學家托馬斯托馬斯楊成功地觀察到了光的干涉現(xiàn)象。光的干涉現(xiàn)象。35、1818年，法國科學家菲涅爾菲涅爾和泊松泊松計算并實驗觀察到光的圓板衍射光的圓板衍射泊松亮斑泊松亮斑。36、1864年，英國物理學家麥克斯韋麥克斯韋預言了電磁波的存在，指出光是一種電磁波光是一種電磁波；1887年，赫茲赫茲證實了電磁波的存在，光是一種電磁波光是一種電磁波371849年法國物理學家斐索斐索首先在地面上測出了光速，以后又有許多科學家采用了更精密的方法測定光速，如美國物理學家邁克爾遜的旋轉棱鏡法（參見楊浦區(qū)二模卷選擇題）邁克爾遜的旋轉棱鏡法（參見楊浦區(qū)二模卷選擇題）。38關于光的本質17世紀明確地形成了兩種學說一種是牛頓主張的微粒說牛頓主張的微粒說，認為光是光源發(fā)出的一種物質微粒；另一種是荷蘭物理學家惠更斯提出的波動說惠更斯提出的波動說，認為光是在空間傳播的某種波。這兩種學說都不能解釋當時觀察到的全部光現(xiàn)象。39赫茲的光電效應無法用光的波動說來解釋。401900年，德國物理學家普朗克普朗克為解釋物體熱輻射規(guī)律提出電磁波的發(fā)射和吸收不是連續(xù)的，而是一份一份的，把物理學帶進了量子世界；受其啟發(fā)1905年愛因斯坦愛因斯坦提出光子說光子說，成功地解釋了光電效應規(guī)解釋了光電效應規(guī)律，律，因此獲得諾貝爾物理獎。41、1922年，美國物理學家康普頓康普頓在研究石墨中的電子對X射線的散射時康普頓效應康普頓效應，證實了光的粒光的粒子性子性。（說明動量守恒定律和能量守恒定律同時適用于微觀粒子）42、1913年，丹麥物理學家玻爾玻爾提出了自己的原子結構假說，成功地解釋和預言了氫原子的輻射電磁波解釋和預言了氫原子的輻射電磁波譜，為量子力學的發(fā)展奠定了基礎。43、1924年，法國物理學家德布羅意德布羅意大膽預言了實物粒子在一定條件下會表現(xiàn)出波動性；44、1927年美、英兩國物理學家得到了電子束在金屬晶體上的衍射圖案電子束在金屬晶體上的衍射圖案。電子顯微鏡與光學顯微鏡相比，

簡介：固體物理學習題指導固體物理學固體物理學習題指導習題指導配合固體物理學（朱建國等編著）配合固體物理學（朱建國等編著）使用使用2019年11月25日固體物理學習題指導0第1章晶體結構晶體結構11有許多金屬即可形成體心立方結構，也可以形成面心立方結構。從一種結構轉變?yōu)榱硪环N結構時體積變化很小設體積的變化可以忽略，并以RF和RB代表面心立方和體心立方結構中最近鄰原子間的距離，試問RFRB等于多少答由題意已知，面心、體心立方結構同一棱邊相鄰原子的距離相等，都設為A對于面心立方，處于面心的原子與頂角原子的距離為RFA22對于體心立方，處于體心的原子與頂角原子的距離為RBA32那么，RFRB23AA6312晶面指數(shù)為（123）的晶面ABC是離原點O最近的晶面，OA、OB和OC分別與基失A1，A2和A3重合，除O點外，OA，OB和OC上是否有格點若ABC面的指數(shù)為（234），情況又如何答晶面族（123）截A1A2A3分別為123等份，ABC面是離原點O最近的晶面，OA的長度等于A1的長度，OB的長度等于A2長度的12，OC的長度等于A3長度的13，所以只有A點是格點。若ABC面的指數(shù)為（234）的晶面族，則A、B和C都不是格點。13二維布拉維點陣只有5種，試列舉并畫圖表示之。答二維布拉維點陣只有五種類型，兩晶軸，夾角，如下表所示。BA、序號晶系基矢長度與夾角關系布拉維晶胞類型所屬點群1斜方任意2BA、簡單斜方（圖中1所示）1，22正方2BA簡單正方（圖中2所示）4，4MM3六角32BA簡單六角（圖中3所示）3，3M，6，6MM4長方2BA簡單長方（圖中4所示）有心長方（圖中5所示）1MM，2MM1簡單斜方2簡單正方3簡單六角

簡介：1量子力學的發(fā)展從量子論到量子力學摘要量子論量子力學一對相近的名字也許很多人會說它們是同一個概念因為我剛聽到這兩個詞的時候就是這么認為的但是經(jīng)過了將近半個學期的學習我慢慢發(fā)現(xiàn)它們并不是相同的我也開始對量子力學有了更加清楚的認識至少它不是無法理解的雖然還有很多很多的問題有待我們解決但是量子力學已深入到物理學中了并成功解釋了許許多多經(jīng)典物理無法解決的問題而量子力學究竟是如何發(fā)展起來的呢正文1900年，普朗克針對經(jīng)典物理學解釋黑體輻射的困難，提出輻射能量量子化的概念發(fā)表了著名的量子假說；然而當時很少有人注意他的文章更不要說理解它了而愛因斯坦卻認真對待這一革命性的觀念1905年，他針對光電效應的實驗事實與經(jīng)典觀念的矛盾，提出光量子的概念；無獨有偶愛因斯坦的論文同樣不受名人重視在1913年，波爾把普朗克愛因斯坦的量子化概念用到盧瑟福模型，提出了量子態(tài)的觀念。不過，這時的量子論在邏輯和對實際問題的處理都有嚴重的缺陷，而“物質粒子的波粒兩象性”使之更嚴密。在此基礎之上，海森伯、波恩和薛定諤等人建立了量子力學。關鍵詞黑體輻射，光電效應，波粒兩象性，薛定諤方程一基本理論分析1、黑體輻射的提出黑體是指能將入射的任何頻率的電磁波全都吸收的理想物體，當黑體受熱后以電磁波的形式向外輻射能量稱為黑體輻射。1859年，基爾霍夫（GRKIRCHHOFF）證明黑體與熱輻射達到平衡時，輻射能量密度E（Ν，T）隨頻率Ν變化曲線的形狀與位置只與黑體的絕對溫度T有關，而與空腔的形狀及組成的物質無關。1893年，維恩（WWIEN）測得黑體輻射本領RΛ，T在不同溫度T下，隨Λ的變化規(guī)律，如左邊的圖。1900年普朗克在維恩、瑞利和金斯的公式之上提出了普朗克公34、薛定諤方程的提出與應用薛定諤方程是量子力學的基本方程，它揭示了微觀物理世界物質運動的基本規(guī)律，就像牛頓定律在經(jīng)典力學中所起的作用一樣，它是原子物理學中處理一切非相對論問題的有力工具。而用它來描述波函數(shù)時應該滿足下面條件①標準條件X必須單值、有限、連續(xù)，因為粒子的概率在任何地方只能有一個值，不可能無限大且不可能在某處發(fā)生突變。②歸一化條件粒子在空間各點的概率總和應為L。在這一系列的基礎上經(jīng)過幾年的努力終于在19251928年期間由海森伯玻恩薛定諤和狄拉克等人建立了量子力學它與相對論一起構成近代物理學的兩大理論支柱量子力學也從此不斷完善與發(fā)展并被人們接受而且有許多人投身其中。

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簡介：第二章半導體中的雜質和缺陷,理想半導體1、原子嚴格周期性排列，具有完整的晶格結構。2、晶體中無雜質，無缺陷。3、電子在周期場中作共有化運動，形成允帶和禁帶電子能量只能處在允帶中的能級上，禁帶中無能級。?本征半導體晶體具有完整的（完美的）晶格結構，無任何雜質和缺陷。由本征激發(fā)提供載流子。,實際半導體,實際半導體中原子并不是靜止在具有嚴格周期性的晶格位置上，而是在其平衡位置附近振動；實際半導體并不是純凈的，而是含有雜質的；實際的半導體晶格結構并不是完整無缺的，而是存在著各種形式的缺陷，點缺陷，線缺陷，面缺陷；,雜質和缺陷可在禁帶中引入能級，從而對半導體的性質產(chǎn)生了決定性的作用,主要內容,,1淺能級雜質能級和雜質電離；2淺能級雜質電離能的計算；3雜質補償作用4深能級雜質的特點和作用,1、等電子雜質；2、Ⅳ族元素起兩性雜質作用,§21元素半導體中的雜質能級,§23缺陷能級,§22化合物半導體中的雜質能級,點缺陷對半導體性能的影響,§21SI、GE晶體中的雜質能級1、雜質與雜質能級雜質半導體中存在的與本體元素不同的其它元素。,雜質的來源,｛,有意摻入無意摻入,根據(jù)雜質在能級中的位置不同,｛,替位式是雜質間隙式雜質,在金剛石型晶體中，晶胞中原子的體積百分數(shù)為34，說明還有66是空隙。SI中的雜質有兩種存在方式，A間隙式雜質特點雜質原子一般較小，鋰元素B替位式雜質特點雜質原子的大小與被替代的晶格原子大小可以相比，價電子殼層結構比較相近，Ⅲ和Ⅴ族元素在SI，GE中都是替位式,以硅為例說明,單位體積中的雜質原子數(shù)稱為雜質濃度,B替位式→雜質占據(jù)格點位置。大小接近、電子殼層結構相近,SIR0117NMBR0089NMPR011NM,LI0068NM,A間隙式→雜質位于間隙位置。,LI,N型半導體,P型半導體,復合中心,陷阱,,,,,,,雜質分類,淺能級雜質,深能級雜質,雜質能級位于禁帶中,淺能級,淺能級,1VA族的替位雜質施主雜質,在硅SI中摻入P,,,磷原子替代硅原子后，形成一個正電中心P＋和一個多余的價電子,束縛態(tài)未電離離化態(tài)電離后,2、元素半導體的雜質,（A）電離態(tài)（B）中性施主態(tài),,過程1形成共價鍵后存在正電中心P；2多余的一個電子掙脫束縛，在晶格中自由動；雜質電離3P成為不能移動的正電中心；,雜質電離，雜質電離能，施主雜質（N型雜質），施主能級,電離的結果導帶中的電子數(shù)增加了，這即是摻施主的意義所在。,1施主處于束縛態(tài)，2施主電離3施主電離后處于離化態(tài),能帶圖中施主雜質電離的過程,電離時，P原子能夠提供導電電子并形成正電中心，施主雜質。,施主雜質施主能級,被施主雜質束縛的電子的能量比導帶底EC低，稱為施主能級，ED。施主雜質少，原子間相互作用可以忽略，施主能級是具有相同能量的孤立能級．,ED,施主濃度ND,,施主電離能△ED弱束縛的電子擺脫雜質原子束縛成為晶格中自由運動的電子（導帶中的電子）所需要的能量,,EC,,ED,,△EDEC－ED,施主電離能,,EV,,,束縛態(tài),離化態(tài),,施主雜質的電離能小，在常溫下基本上電離。,含有施主雜質的半導體，其導電的載流子主要是電子N型半導體，或電子型半導體,定義,施主雜質V族元素在硅、鍺中電離時能夠釋放電子而產(chǎn)生導電電子并形成正電中心，稱此類雜質為施主雜質或N型雜質。施主電離施主雜質釋放電子的過程。施主能級被施主雜質束縛的電子的能量狀態(tài)，記為ED，施主電離能量為ΔED。N型半導體依靠導帶電子導電的半導體。,3、受主能級舉例SI中摻硼B(yǎng),在SI單晶中，Ⅲ族受主替位雜質兩種電荷狀態(tài)的價鍵（A）電離態(tài)（B）中性受主態(tài),,價帶空穴電離受主B,2、受主能級舉例SI中摻硼B(yǎng),過程1形成共價鍵時，從SI原子中奪取一個電子，SI的共價鍵中產(chǎn)生一個空穴；2當空穴掙脫硼離子的束縛，形成固定不動的負電中心B,受主電離，受主電離能，受主雜質（P型雜質），受主能級,電離的結果價帶中的空穴數(shù)增加了，這即是摻受主的意義所在,1受主處于束縛態(tài)，2，受主電離3，受主電離后處于離化態(tài),能帶圖中受主雜質電離的過程,在SI中摻入B,B具有得到電子的性質，這類雜質稱為受主雜質。受主雜質向價帶提供空穴。,B獲得一個電子變成負離子，成為負電中心，周圍產(chǎn)生帶正電的空穴。,B－,,,,,,,,,,,＋,B－,EA,受主濃度NA,受主電離能和受主能級,受主電離能△EA空穴擺脫受主雜質束縛成為導電空穴所需要的能量,,,束縛態(tài),離化態(tài),,,受主雜質的電離能小，在常溫下基本上為價帶電離的電子所占據(jù)空穴由受主能級向價帶激發(fā)。,含有受主雜質的半導體，其導電的載流子主要是空穴P型半導體，或空穴型半導體。,定義,受主雜質III族元素在硅、鍺中電離時能夠接受電子而產(chǎn)生導電空穴并形成負電中心，稱此類雜質為受主雜質或P型雜質。受主電離受主雜質釋放空穴的過程。受主能級被受主雜質束縛的空穴的能量狀態(tài)，記為EA。受主電離能量為ΔEAP型半導體依靠價帶空穴導電的半導體。,施主和受主濃度ND、NA,施主DONOR，摻入半導體的雜質原子向半導體中提供導電的電子，并成為帶正電的離子。如SI中摻的P和AS受主ACCEPTOR，摻入半導體的雜質原子向半導體提供導電的空穴，并成為帶負電的離子。如SI中摻的B,小結,,,,等電子雜質,N型半導體特征,A施主雜質電離，導帶中出現(xiàn)施主提供的導電電子,B電子濃度N〉空穴濃度P,P型半導體特征,A受主雜質電離，價帶中出現(xiàn)受主提供的導電空穴,B空穴濃度P〉電子濃度N,N型和P型半導體都稱為極性半導體,P型半導體價帶空穴數(shù)由受主決定，半導體導電的載流子主要是空穴?？昭槎嘧樱娮訛樯僮?。,N型半導體導帶電子數(shù)由施主決定，半導體導電的載流子主要是電子。電子為多子，空穴為少子。,多子多數(shù)載流子少子少數(shù)載流子,雜質向導帶和價帶提供電子和空穴的過程（電子從施主能級向導帶的躍遷或空穴從受主能級向價帶的躍遷）稱為雜質電離或雜質激發(fā)。具有雜質激發(fā)的半導體稱為雜質半導體,雜質激發(fā),3雜質半導體,電子從價帶直接向導帶激發(fā)，成為導帶的自由電子，這種激發(fā)稱為本征激發(fā)。只有本征激發(fā)的半導體稱為本征半導體。,本征激發(fā),N型和P型半導體都是雜質半導體,施主向導帶提供的載流子1016～1017/CM3本征載流子濃度,雜質半導體中雜質載流子濃度遠高于本征載流子濃度,SI的原子濃度為1022～1023/CM3,摻入P的濃度/SI原子的濃度106,例如SI在室溫下，本征載流子濃度為1010/CM3，,上述雜質的特點,施主雜質,受主雜質,,淺能級雜質,雜質的雙重作用,改變半導體的導電性決定半導體的導電類型,雜質能級在禁帶中的位置,4淺能級雜質電離能的簡單計算,淺能級雜質雜質離子束縛電子（空穴）,類氫模型,玻爾原子電子的運動軌道半徑為,N1為基態(tài)電子的運動軌跡,玻爾能級,玻爾原子模型,類氫模型氫原子中電子能量N1,2,3，為主量子數(shù)，當N1和無窮時,,氫原子基態(tài)電子的電離能考慮到正、負電荷處于介電常數(shù)ΕΕ0ΕR的介質中，且處于晶格形成的周期性勢場中運動，所以電子的慣性質量要用有效質量代替,,類氫模型計算束縛電子或空穴運動軌道半徑及電離能,運動軌道半徑,電離能,施主雜質電離能受主雜質電離能,,,對于SI中的P原子，剩余電子的運動半徑約為244?,SIA54?,剩余電子本質上是在晶體中運動,SIR117?,施主能級靠近導帶底部,對于SI、GE摻P,估算結果與實測值有相同的數(shù)量級,對于SI、GE摻B,5雜質的補償作用,1ND＞NA,半導體中同時存在施主和受主雜質，施主和受主之間有互相抵消的作用,此時半導體為N型半導體,,有效施主濃度NNDNA,EA,2NDNA時NNDNA≈ND，半導體是N型的當NDNA時PNAND≈NA，半導體是P型的當ND≈NA時補償半導體有效雜質濃度補償后半導體中的凈雜質濃度。,6深雜質能級,根據(jù)雜質能級在禁帶中的位置，雜質分為,淺能級雜質→能級接近導帶底EC或價帶頂EV，電離能很小,深能級雜質→能級遠離導帶底EC或價帶頂EV，電離能較大,,EC,,ED,,EV,,EA,,,EG,,EC,,EA,,EV,,ED,,,,,EG,,,,,深能級雜質,非III、V族元素（52頁圖28/9）特點多為替位式雜質硅、鍺的禁帶中產(chǎn)生的施主能級距離導帶底和價帶頂較遠，形成深能級，稱為深能級雜質。深能級雜質能夠產(chǎn)生多次電離，每次電離均對應一個能級。有的雜質既能引入施主能級，又能引入受主能級。,例1AU（Ⅰ族）在GE中,AU在GE中共有五種可能的狀態(tài)（1）AU；（2）AU0；（3）AU一；（4）AU二；（5）AU三。,在GE中摻AU可產(chǎn)生3個受主能級，1個施主能級,,,AU,GE,GE,GE,GE,,AU,AU0,AU,AU2,AU3,1AU失去一個電子施主,,,AU＋,,,,,,,EC,EV,,ED,EDEV004EV,,,EC,EV,,ED,,EA1,,,AU－,,,,,,,2AU獲得一個電子受主,EA1EV015EV,3AU獲得第二個電子,,,EC,EV,,ED,,EA1,,,AU2－,,,,,,,EA2EC02EV,,EA2,,4AU獲得第三個電子,,,EC,EV,,ED,,EA1,EA3EC004EV,,EA2,,EA3,,,AU3－,,,,,,,,,深能級雜質特點不容易電離，對載流子濃度影響不大；一般會產(chǎn)生多重能級，甚至既產(chǎn)生施主能級也產(chǎn)生受主能級。能起到復合中心作用，使少數(shù)載流子壽命降低。,§22化合物半導體中的雜質能級,Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體中的雜質,理想的GAAS晶格價鍵結構含有離子鍵成分的共價鍵結構,,,,,,,GA,AS,GA,GA,AS,GA,AS,GA,AS,,,施主雜質替代Ⅴ族元素,受主雜質替代III族元素,,,,兩性雜質III、Ⅴ族元素,等電子雜質同族原子取代,●等電子雜質,等電子雜質是與基質晶體原子具有同數(shù)量價電子的雜質原子．替代了同族原子后，基本仍是電中性的。但是由于共價半徑和電負性不同，它們能俘獲某種載流子而成為帶電中心。帶電中心稱為等電子陷阱。,例如，N取代GAP中的P而成為負電中心,電子陷阱,空穴陷阱,●束縛激子,等電子陷阱俘獲一種符號的載流子后，又因帶電中心的庫侖作用又俘獲另一種帶電符號的載流子，形成束縛激子。,●兩性雜質,舉例GAAS中摻SI（Ⅳ族）GAⅢ族ASⅤ族SIGA施主兩性雜質SIAS受主,,,兩性雜質在化合物半導體中，某種雜質在其中既可以作施主又可以作受主，這種雜質稱為兩性雜質。,§23氮化鎵、氮化鋁、碳化硅中的雜質能級,點缺陷空位、間隙原子線缺陷位錯面缺陷層錯、晶界,1、缺陷的類型,§24缺陷能級,2元素半導體中的缺陷,1空位,原子的空位起受主作用。,2填隙,SI,間隙原子缺陷起施主作用,●反結構缺陷GAAS受主ASGA施主,3GAAS晶體中的點缺陷,●空位VGA、VASVGA受主VAS施主,●間隙原子GAI、ASIGAI施主ASI受主,E,4Ⅱ－Ⅵ族化合物半導體的缺陷,Ⅱ－Ⅵ族化合物半導體離子鍵結構,A負離子空位,產(chǎn)生正電中心，起施主作用,,,電負性小,,B正離子填隙,產(chǎn)生正電中心，起施主作用,,,,,,產(chǎn)生負電中心，起受主作用,,C正離子空位,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,,電負性大,,產(chǎn)生負電中心，起受主作用,D負離子填隙,,,,,,負離子空位,產(chǎn)生正電中心，起施主作用,正離子填隙,,正離子空位,負離子填隙,,產(chǎn)生負電中心，起受主作用,第二章半導體中的雜質和缺陷能級1什么叫淺能級雜質它們電離后有何特點2什么叫施主什么叫施主電離施主電離前后有何特征試舉例說明之，并用能帶圖表征出N型半導體。3什么叫受主什么叫受主電離受主電離前后有何特征試舉例說明之，并用能帶圖表征出P型半導體。4摻雜半導體與本征半導體之間有何差異試舉例說明摻雜對半導體的導電性能的影響。5兩性雜質和其它雜質有何異同6深能級雜質和淺能級雜質對半導體有何影響7何謂雜質補償雜質補償?shù)囊饬x何在,1、解淺能級雜質是指其雜質電離能遠小于本征半導體的禁帶寬度的雜質。它們電離后將成為帶正電（電離施主）或帶負電（電離受主）的離子，并同時向導帶提供電子或向價帶提供空穴。2、解半導體中摻入施主雜質后，施主電離后將成為帶正電離子，并同時向導帶提供電子，這種雜質就叫施主。施主電離成為帶正電離子（中心）的過程就叫施主電離。施主電離前不帶電，電離后帶正電。例如，在SI中摻P，P為Ⅴ族元素。本征半導體SI為Ⅳ族元素，P摻入SI中后，P的最外層電子有四個與SI的最外層四個電子配對成為共價電子，而P的第五個外層電子將受到熱激發(fā)掙脫原子實的束縛進入導帶成為自由電子。這個過程就是施主電離。,3、解半導體中摻入受主雜質后，受主電離后將成為帶負電的離子，并同時向價帶提供空穴，這種雜質就叫受主。受主電離成為帶負電的離子（中心）的過程就叫受主電離。受主電離前帶不帶電，電離后帶負電。例如，在SI中摻B，B為Ⅲ族元素，而本征半導體SI為Ⅳ族元素，P摻入B中后，B的最外層三個電子與SI的最外層四個電子配對成為共價電子，而B傾向于接受一個由價帶熱激發(fā)的電子。這個過程就是受主電離。,4、解在純凈的半導體中摻入雜質后，可以控制半導體的導電特性。摻雜半導體又分為N型半導體和P型半導體。例如，在常溫情況下，本征SI中的電子濃度和空穴濃度均為15X1010CM3。當在SI中摻入10X1016CM3的P后，半導體中的電子濃度將變?yōu)?0X1016CM3，而空穴濃度將近似為225X104CM3。半導體中的多數(shù)載流子是電子，而少數(shù)載流子是空穴。5、解兩性雜質是指在半導體中既可作施主又可作受主的雜質。如ⅢⅤ族GAAS中摻Ⅳ族SI如果SI替位Ⅲ族AS，則SI為施主；如果SI替位Ⅴ族GA，則SI為受主。所摻入的雜質具體是起施主還是受主與工藝有關。6、解深能級雜質在半導體中起復合中心或陷阱的作用。淺能級雜質在半導體中起施主或受主的作用。7、當半導體中既有施主又有受主時，施主和受主將先互相抵消，剩余的雜質最后電離，這就是雜質補償。利用雜質補償效應，可以根據(jù)需要改變半導體中某個區(qū)域的導電類型，制造各種器件。,第二章習題,1P64習題72設計一個實驗首先將一塊本征半導體變成N型半導體，然后再設法使它變成P型半導體。,

簡介：高中物理學習構建電氣工程概念的途徑論文高中物理學習構建電氣工程概念的途徑論文【摘要】高中物理是初中物理知識的進一步拓展延伸電學知識是高中物理學中重點也是難點在我們日常生活中具有廣泛實用價值對于大學期間開展電氣工程專業(yè)知識的學習具有重要基礎作用本文就高中物理電學知識學習中如何構建電氣工程學概念進行分析探討希望對大家學好高中物理電學知識有所借鑒【關鍵詞】高中物理；學習；電氣工程學；概念當前是科學技術迅速發(fā)展的時代電氣工程學作為一門熱門科目在自動化控制、電子信息、節(jié)能環(huán)保等領域都展現(xiàn)了前所未有的爆發(fā)力因此掌握一定的電氣工程技術與核心理論知識那在今后的發(fā)展中必將占據(jù)有利地位高中物理是學好電氣工程的基石其中電學知識是高中物理知識的重點也是難點電學知識在直流電內容基礎上增加了交流電、地磁場的概念電子元器件上增加了電容、電感等器件學習對于我們在大學進行工科類學科學習有積極的輔助作用電氣工程學在大學是一門側重于電學知識的學科體系重點的基礎學科就是我們的數(shù)學、物理兩門電氣工程學各項運算工作都是基于數(shù)學知識體系進行的物理知識是電氣工程學的專業(yè)基礎知識因此在高中物理學中扎實開展電學知識的學習有利于培養(yǎng)我們電氣工程專業(yè)概念一、電氣工程學的基本概況分析電氣工程學最早是由英國的威廉吉爾伯特開展研究的在撰寫的論磁石中提出了地球磁性的討論認為電與磁之間存在一定的內在關系這些研究提出以后不少科學家相繼對電與磁的本質進行了大量的電氣工程學具有高度的專業(yè)性對于高中生來說構建系統(tǒng)的電氣工程學概念具有一定的難度在具體的構建過程中我們必須要強化意識加強高中物理學中的電學知識強化學習在扎實做好電學知識學習過程中培養(yǎng)電氣工程學概念一是樹立專業(yè)化理論學習意識電氣工程學是一門專業(yè)技術學科具有顯著專業(yè)技術特點我們在高中物理學習中需要自覺加強專業(yè)意識培養(yǎng)以專業(yè)學習的標準自我嚴格要求扎實做好高中物理學習第一要在高中物理基礎學習中鑄就專業(yè)意識高中電學內容涉及電場、電磁場、交變電流等內容這些知識都是具有實用價值的在電氣行業(yè)進行輸變電工程建設中、工程項目弱電設計中都是需要的高中階段物理內容涉及電氣工程專業(yè)但是知識深度還是處在基礎階段學生在開展基礎學習中要注重專業(yè)意識培養(yǎng)第二要認清高中物理學習的重要性大部分高中學生在開展物理學習上還是以應試作為學習目的認為大學才是專業(yè)課學習高中只是基礎學習對于高中物理學的重要性認識不夠深刻高中物理就是電氣工程學專業(yè)基礎我們要從電氣工程專業(yè)角度重視高中物理知識學習扎實做好高中物理基礎知識學習第三要有主動樹立電氣工程學概念的意識電氣工程學的專業(yè)運用主要在電力行業(yè)電學知識又是高中物理學的重點進行高中物理電學知識的學習過程中我們需要有培養(yǎng)電氣工程學概念的自主意識積極建立電氣工程學專業(yè)概念二是扎實開展高中物理電學知識學習高中物理學知識內容比較廣泛主要有五大塊內容聲光熱電力涵蓋了我們日常生活的方方面面電學知識作為電氣工程學的專業(yè)基礎我們必須要深入學習強化理解吸收筑牢專業(yè)基礎第一要加強物理學電學基礎知識的學習高中物理電學劃分為電場、磁場、恒定電流、交流電等部分電磁場這塊內容與力學、能量方面結合緊密因此

簡介：物理學業(yè)水平考試真題匯編含答案（曲線運動、萬有引力與航天）物理學業(yè)水平考試真題匯編含答案（曲線運動、萬有引力與航天）一單項選擇題1在地面上方，將小球以2MS的速度水平拋出，落地時的速度是4MS，不計空氣阻力，則小球落地時速度方向和水平方向的夾角是A60B45C37D302關于勻速圓周運動的線速度，下列說法中正確的是A大小和方向都保持不變B大小不變，方向時刻改變C大小時刻改變，方向不變D大小和方向都時刻改變3如圖所示，用頻閃相機拍攝“研究物體做平拋運動規(guī)律”的照片，圖中ABC為三個同時由同一點出發(fā)的小球AA′為A球在光滑水平面上以速度V運動的軌跡；BB′為B球以速度V水平拋出后的運動軌跡；CC′為C球自由下落的運動軌跡通過分析上述三條軌跡，可得出結論A平拋運動水平方向的分運動是自由落體運動B平拋運動豎直方向的分運動是勻速直線運動C平拋運動可分解為水平方向的自由落體運動和豎直方向的勻速直線運動D平拋運動可分解為水平方向的勻速直線運動和豎直方向的自由落體運動4某物體在地球表面，受到地球的萬有引力為F若此物體受到的引力減小為，則其距離地面的高度應4F為（R為地球半徑）ARB2RC4RD8R5關于做勻速圓周運動的人造地球衛(wèi)星，下列說法中正確的是A半徑越大，周期越小B半徑越大，周期越大C所有衛(wèi)星的周期都相同，與半徑無關D所有衛(wèi)星的周期都不同，與半徑無關6甲乙兩個物體，甲放在廣州，乙放在北京，它們隨著地球一起繞地軸轉動，下列說法正確的是A它們的周期相等，甲的角速度較大B乙的角速度較小，甲的線速度較大C它們的角速度和線速度均相等D它們的角速度相等，乙的線速度較小7一做勻速圓周運動的物體，其處于ABCA′B′C′ABCDGV0GV02GV20GV0217對人造地球衛(wèi)星，下列說法正確的是A由VRΩ，衛(wèi)星軌道半徑增大到原來的兩倍時，速度增大到原來的2倍B由，衛(wèi)星軌道半徑增大到原來的兩倍時，速度增大到原來的倍RVMF22C由，衛(wèi)星軌道半徑增大到原來的兩倍時，向心力減為原來的2RMMGF41D由，衛(wèi)星軌道半徑增大到原來的兩倍時，向心力減為原來的RVMF22118舉世矚目的“神舟”六號航天飛船的成功發(fā)射和順利返回，顯示了我國航天事業(yè)取得的巨大成就已知地球的質量為M，引力常量為G，設飛船繞地球做勻速圓周運動的軌道半徑為R，則飛船在圓軌道上運行的速率為19關于物體做曲線運動的條件，以下說法中正確的是A物體在恒力作用下，一定做曲線運動B物體在受到速度成一角度的力作用下，一定做曲線運動；C物體在變力作用下，一定做曲線運動；D物體在變力作用下，不可能做勻速圓周運動20在研究平拋運動的實驗中，下列哪些說法是正確的①使斜槽末端的切線保持水平②每次使小球從不同的高度滾下③鋼球與斜槽間的摩擦使實驗的誤差增大A①B①②C②③D③21下列關于同步衛(wèi)星的說法正確的是A它的周期與地球自轉同步，但高度和速度可以選擇，高度增大，速度減小B它的周期高度速度的大小都是一定的C我國發(fā)射的同步通訊衛(wèi)星定點在北京上空D不同的同步衛(wèi)星所受的向心力相同22關于勻速圓周運動下列說法中正確的是A做勻速圓周運動物體的速度方向不斷改變B做勻速圓周運動物體的速度大小不斷改變C做勻速圓周運動物體的加速度大小不斷改變D物體只有在恒力作用下，才能做勻速圓周運動

簡介：專業(yè)課復習資料（最新版）專業(yè)課復習資料（最新版）封面7質點以速度SMTV42作直線運動，沿質點運動直線作OX軸，并已知T3S時，質點位于X9M處，則該質點的運動學方程為（C）ATX2B2214TTXC123143TTXD123143TTX8三個質量相等的物體A、B、C緊靠在一起，置于光滑水平面上。若A、C分別受到水平力2121FFFF的作用，則A對B的作用力大小為（C）A1FB21FFC213132FFD213132FF9某質點的運動方程為X52T10T2M，則該質點作BA勻加速直線運動，加速度為正值。B勻加速直線運動，加速度為負值。C變加速直線運動，加速度為正值。D變加速直線運動，加速度為負值。10質量為10KG的物體，在變力F作用下沿X軸作直線運動，力隨坐標X的變化如圖。物體在X＝0處，速度為1MS，則物體運動到X＝16M處，速度大小為BA22MSB3MSC4MSD17MS11某質點的運動學方程X63T5T3，則該質點作（C）（A）勻加速直線運動，加速度為正值（B）勻加速直線運動，加速度為負值C）變加速直線運動，加速度為正值（D）變加速直線運動，加速度為負值12宇宙飛船關閉發(fā)動機返回地球的過程，可以認為是僅在地球萬有引力作用下運動。若用M表示飛船質量，M表示地球質量，G表示引力常量，冊飛船從距地球中心R1處下降到R2的過程中，動能的增量為（C）ABC1F2F

簡介：第1章物理學力學數(shù)學微積分初步習題解答1第1章物理學力學數(shù)學微積分初步習題解答1求下列函數(shù)的導數(shù)⑴⑵10432XXY100COS8SIN71XXXY⑶BXABAXY⑷21SINXY⑸⑹XEYSINXEYX100XXXEEYXEYXXXXXXYBXABAYXXXXYXY1001001COS11COS211COSSIN8COS72146SIN2221221212222⑹⑸⑷⑶⑵解⑴2已知某地段地形的海拔高度H因水平坐標X而變，H10000001X210005X2，度量X和H的單位為米。問何處的高度將取極大值和極小值，在這些地方的高度為多少解先求出HX對X的一階導數(shù)和二階導數(shù)42643643647242102106102102102102105101022XXXXXXXDXDDXHDDXDDXDH令DHDX0，解得在X01010處可能有極值?！逥2HDX2|X00∴X10是極小值點，H10990005米；顯然，X10亦是極小值點，H10H103求下列不定積分∫∫DXXDXXXX21323⑵⑴∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫DXXDXDXXEXDXXDXEDXBAXDXDXXXDXEXXXBAXDXXXXXXXXLN22211312COS11COSSINSINCOSSIN2222⑽⑼⑻⑺⑹⑸⑷⑶解∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫∫CXXXDDXCXXDXXXDXCEXDEDXXECXXXDXDXXCBAXBAXDBAXCEXDEDXECBAXBAXDBAXDXBAXCARCTGXXDXDXDXCXXXDXXDXDXXXCEXDXXDXEDXECXDXXDXDXXCXXXDXXDXDXXDXXXXXXXXAABAXDXXXXAAXDXXXXXXXXXDXXXXXXX221LN41212122122133122221122122121111111223133312LN22X222344133LNLNLN122SIN2COS1COS11SINSINSINCOSSIN2COSSINSINSINCOSCOSSINCOSSIN2LN32322231322222222⑽⑼⑻⑺⑹⑸⑷⑶⑵⑴課后答案網(wǎng)課后答案網(wǎng)第1章物理學力學數(shù)學矢量習題解答3第1章物理學力學數(shù)學矢量習題解答1234567略8二矢量如圖所示A4B5Α25Β3687直接根據(jù)矢量標積定義和正交分解法求BAΡΡ。解直接用矢量標積定義490COSΒΑABBAΡΡ用正交分解法∵AX4COSΑ36AY4SINΑ17BX5COS90Β5SINΒ3BY5SIN90Β5COSΒ4∴4471363YYXXBABABAΡΡ9的夾角。與求已知B22ΡΡΡΡAKJIBJIA解由標積定義ABBABABAABBAΡΡΡΡΡΡΡΡ∴COSCOS，而∴135COS332212112223322222BABABABAΡΡΡΡΡΡ兩矢量夾角（10已BAKJIBAKJIBAΡΡΡΡΡ與求，知4453的夾角。解將已知兩式相加，可求得JIA5053Ρ；再將已知兩式相減，可求得535053545022≈∴AKJIBΡ，≈505364415450222BABΡΡ054505?！帧?48803080COSBABAABBAΡΡΡΡΡ夾角11已知0ACCBBACBAΡΡΡΡΡΡΡΡΡ求證YBΒAΑ0X證明用已知等式分別叉乘ACABAACBAΡΡΡΡΡΡΡΡΡ有000CCCBCABCBBBAΡΡΡΡΡΡΡΡΡΡΡΡ其中，ACCBBACCBBAAΡΡΡΡΡΡΡΡΡΡΡΡ∴均為零，12計算以P308、Q5107、R021為頂點的三角形的面積。解據(jù)矢積定義，△PRQ的面積OPPRPQPRA||21OPOQPQKJI923KJI102KJIKJIPQPR3421881102923YR021Q5107OXZP308348696342188||2696222Δ∴APRQPQPR面積13化簡下面諸式課后答案網(wǎng)課后答案網(wǎng)

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