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文檔簡介
1、本論文采用射頻磁控技術在Si(111)和Al<,2>O<,3>基片上在不同的工作參數(shù)下制備了Zn<,1-x>Fe<,x>O薄膜,研究了工作參數(shù)對Zn<,1-x>Fe<,x>O薄膜結(jié)構(gòu)的影響,重點研究了不同濃度Fe摻雜對ZnO薄膜結(jié)構(gòu)和光、磁學性質(zhì)的影響。在實驗中,用Ar作為工作氣體,用高純ZNO(99.99%)靶制備ZnO薄膜,為了實現(xiàn)摻雜Fe元素,在高純ZnO靶表面均勻地粘上鐵片,用共濺射的方法制備了Zn<,1-x>Fe<,x>O薄膜
2、,通過改變鐵片的數(shù)量來改變摻雜量。 Zn<,1-x>Fe<,x>O薄膜的XRD表明,隨著Zn<,1-x>Fe<,x>O薄膜中Fe含量的增加,薄膜的(002)和(004)衍射峰峰位向小角移動,并且半高寬變大。同時當x=0.212時,出現(xiàn)了Fe(110)和ZnO(101)的衍射峰。結(jié)合樣品的XRD譜和XPS譜的結(jié)果,推斷Fe在樣品中的摻雜方式屬于替位式摻雜,替代了ZnO中部分Zn<'2+>的位置,在ZnO中的溶解度小于0.212。
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