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文檔簡介
1、本文采用溶膠凝膠法,在利用磁控濺射技術(shù)(Magnetron Sputtering)生長的底電極上制備聚偏氟-三氟乙烯Poly(vinylidene fluoride-trifluoroethylene)[P(VDF-TrFE)]有機物薄膜,在此基礎(chǔ)上生長了Pt或Al上電極,構(gòu)造不同結(jié)構(gòu)的異質(zhì)結(jié)電容器,應(yīng)用X射線衍射儀(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)、Keithley2601數(shù)字源表和鐵電測試儀(Precision LC Unit)等設(shè)
2、備,對薄膜樣品的微觀結(jié)構(gòu)、表面形貌、輸運性質(zhì)、鐵電性以及疲勞特性進行了研究。
構(gòu)造Al/P(VDF-TrFE)/Al異質(zhì)結(jié)電容器,系統(tǒng)研究了薄膜厚度對該異質(zhì)結(jié)電容器鐵電性的影響。利用磁控濺射技術(shù),在(001)取向的Si基片上以不同的濺射功率生長厚度為90nm的Al薄膜底電極,采用溶膠凝膠法生長膠體濃度為2%與5%的有機物薄膜。研究結(jié)果表明:膠體濃度為2%的P(VDF-TrFE)有機物聚合物薄膜構(gòu)造的電容器其剩余極化強度更大,電
3、滯回線飽和趨勢更好,剩余極化值(Pr)為3.8μC/cm2。
采用磁控濺射法在Si(001)襯底上制備了非晶Ni-Al薄膜,并在Ni-Al薄膜上制備膠體濃度為2%的P(VDF-TrFE)有機聚合物薄膜,在不同溫度下對樣品進行常規(guī)退火處理。研究發(fā)現(xiàn):135℃退火4h的Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al電容器鐵電性能更好,剩余極化強度為7.6μC/cm2,矯頑電壓為45.7V,隨著測試頻率的減小,其剩余極化強度增大。外加正向
4、偏壓為40V時,漏電流密度為5.73×10-6A/cm2,漏電機制分析表明電容器為歐姆導(dǎo)電機理。電容器在經(jīng)過109次翻轉(zhuǎn)以后,沒有表現(xiàn)出明顯的疲勞現(xiàn)象。
采用磁控濺射法制備了ZnO、Ti-Al薄膜,溶膠凝膠法制備膠體濃度為2%的有機物薄膜,通過掩膜技術(shù)生長Al或Pt上電極,構(gòu)造異質(zhì)結(jié)電容器。實驗發(fā)現(xiàn):Pt/P(VDF-TrFE)/Pt異質(zhì)結(jié)電容器剩余極化強度遠(yuǎn)高于其他結(jié)構(gòu)的電容器,并具有很好的抗疲勞特性。以ZnO、Ti-Al為
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