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文檔簡介
1、該文對(duì)PWO晶體Czochralski與改進(jìn)的Bridgman法生長所遇到的問題和摻Y(jié)<'3+>與摻PbF<,2>的PWO晶體做了研究.首先比較了兩種晶體生長方法的不同特點(diǎn),分析了Czochralski法晶體生長時(shí)出現(xiàn)扭曲的原因.界面形狀及其穩(wěn)定性是決定晶體質(zhì)量的關(guān)鍵因素.同時(shí)研究了晶體轉(zhuǎn)動(dòng)速率和提拉速率對(duì)晶體光學(xué)性能的影響.文中提出光散射中心是存在于PWO晶體中的一類較為嚴(yán)重的宏觀缺陷.根據(jù)電子探針微區(qū)成分分析,確定PWO晶體中的光散
2、射中心有三種類型:氣態(tài)包裹物、固態(tài)包裹物和微空洞.絕大多數(shù)固態(tài)包裹物的成分為殘留的WO<,3>和因局部的PbO過剩而形成的Pb<,2>WO<,5>顆粒,主要存在于籽晶熔化線附近.而晶體開裂的主要原因是PWO晶體在生長時(shí)存在較強(qiáng)的熱應(yīng)力.通過對(duì)晶體嚴(yán)格進(jìn)行C軸方向的定向生長,同時(shí)改進(jìn)晶體生長工藝,可以減小晶體應(yīng)力并解決晶體的開裂.該文還對(duì)改進(jìn)的Bridgman法生長的Y<'3+>摻雜PWO晶體進(jìn)行了研究.大尺寸的Y:PWO晶體沿生長方向不
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