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1、本論文用提拉法生長(zhǎng)了無(wú)宏觀缺陷、色澤度高的雙摻Y(jié)b3+(0.5、1、2和4mol%)/Zn2+(1mol%)-PWO晶體及雙摻Y(jié)b3+(0、1和2mol%)/Er3+(1mol%)-PWO晶體。研究了生長(zhǎng)晶體的最佳工藝參數(shù)。測(cè)試了晶體的XRD衍射圖譜、紫外可見(jiàn)透射光譜及發(fā)射光譜。研究了Yb3+摻雜濃度的變化對(duì)晶體本征發(fā)光性能和摻雜發(fā)光性能的影響,以及晶體的缺陷結(jié)構(gòu)和離子占位與發(fā)光性能的內(nèi)在聯(lián)系。
通過(guò)XRD衍射光譜對(duì)晶體的結(jié)構(gòu)
2、進(jìn)行了表征。測(cè)試結(jié)果表明摻雜后晶體仍保持著很好的四方相結(jié)構(gòu),無(wú)新相產(chǎn)生。只是晶格常數(shù)發(fā)生了變化,晶胞體積變小。
研究了晶體的透過(guò)率及吸收邊移動(dòng)情況。結(jié)果表明,雙摻鎢酸鉛晶體的透過(guò)率高于純鎢酸鉛晶體,且隨著摻雜離子濃度的提高,晶體的吸收邊有規(guī)律地紅移。
研究了Yb3+/Zn2+-PWO晶體的本征發(fā)光性能。結(jié)果表明,Yb3+/Zn2+-PWO晶體藍(lán)綠光發(fā)射峰的峰位基本保持一致,其藍(lán)光發(fā)光帶在408nm附近,綠光發(fā)光帶在4
3、65nm附近。相對(duì)于純的PWO晶體,其藍(lán)、綠光發(fā)光帶峰位均向短波長(zhǎng)方向移動(dòng),藍(lán)光發(fā)光帶峰位位移12nm,綠光發(fā)光帶峰位位移25nm。隨著Yb3+離子摻雜濃量的提高,藍(lán)光發(fā)光帶和綠光發(fā)光帶的發(fā)光強(qiáng)度均有增加的趨勢(shì)。當(dāng)Yb3+離子摻入量為2mol%時(shí),其藍(lán)光發(fā)光帶(快發(fā)光)發(fā)光強(qiáng)度達(dá)到最大值。
研究了Yb3+/Er3+-PWO晶體的摻雜發(fā)光性能。結(jié)果表明,隨著Yb3+摻雜濃度的提高,綠光和紅光發(fā)光強(qiáng)度不斷增強(qiáng)。與單摻Er3+-PW
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