石墨烯-二氧化鈦復(fù)合薄膜的制備及光電性質(zhì)研究.pdf

1、學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解安徽大訾有關(guān)保留、使用學(xué)位論文的規(guī)定，有權(quán)保留并向國家有關(guān)部門或機構(gòu)送交論文的復(fù)印件和磁盤，允許論文被查閱和借閱。本人蔽權(quán)更鈸甕婀以將學(xué)位論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進行檢索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存、匯編學(xué)位論文(保密的學(xué)位論文在解密后適用本授權(quán)書)學(xué)位論文作者簽名：鴦友導(dǎo)師簽名：簽字日期：沙11年鈿／D日學(xué)位論文作者畢業(yè)去向：工作單位：通訊地址：力7貿(mào)嘭簽字日期：知ff

2、年∥月／日電話：郵編：石墨烯／二氧化鈦復(fù)合薄膜的制備及光電性質(zhì)研究墨烯時所得薄膜光電流最大。3CdS／Graphene／1’i02納米復(fù)合薄膜的制備及其光電性質(zhì)研究將氧化石墨烯摻入Ti02溶膠中，以浸漬—提拉的方式制成多孔薄膜后再進行還原處理，在導(dǎo)電玻璃上得到石墨烯門n02復(fù)合薄膜。然后利用Cd(N03)2與Na2S溶液的界面反應(yīng)將cdS沉積到石墨烯廠ri02薄膜表面，制備了CdS／Gr印hene，Ti02復(fù)合薄膜。采用Ⅺm、SEM、E

3、DX、UV二Vis等測試技術(shù)對所得薄膜進行表征。以氙燈作光源，在電化學(xué)工作站上測試了各種薄膜的光電轉(zhuǎn)換性質(zhì)，探討了薄膜表面cdS的含量對復(fù)合薄膜光電化學(xué)性能的影響，以及薄膜中電荷轉(zhuǎn)移機理。結(jié)果表明：CdS／Graphcn硎02復(fù)合薄膜的光電性質(zhì)優(yōu)于Graph鈕e／Ti02薄膜和純Ti02薄膜，O1mol／LNa2s和O1mol／LCd(N03)2溶液在Graphelle廠ri02薄膜表面反應(yīng)所制得的CdS／Graph朗e門ri02復(fù)合薄