雙能帶結(jié)構(gòu)對MgB-,2-磁通釘扎的影響.pdf

1、自二硼化鎂(MgB<,2>)超導電性發(fā)現(xiàn)以來，其超導機理和性質(zhì)一直是人們研究和關(guān)心的問題，也進行了大量實驗和理論的探索。但有關(guān)MgB：超導體，尤其是薄膜樣品釘扎力、臨界電流等方面的眾多問題，由于其自身的雙能帶(two-band/gap)結(jié)構(gòu)的原因，至今還沒有確切的答案。本論文采用London磁通線模型和Ginzburg-Landau理論模型，分別計算二硼化鎂的元釘扎力，用求和理論得出單能帶和雙能帶下二硼化鎂磁通釘扎力的表達形式。將通過理

2、論得出的單能帶和雙能帶釘扎力曲線跟通過實驗數(shù)據(jù)得到的釘扎力曲線進行比較，得到雙能帶結(jié)構(gòu)對MgB2磁通釘扎的影響。具體內(nèi)容如下： 1、通過研究MgB2雙能帶結(jié)構(gòu)的特點，得到了兩個能帶(π band和σ band)各自的臨界溫度、上臨界磁場等參量；同時對上臨界磁場各向異性進行了討論，得到兩個能帶的貢獻比隨溫度和磁場的變化情況。 2、根據(jù)London模型和GL模型的適用條件，在低場區(qū)和高場區(qū)分別采用London模型和GL模型計

3、算元釘扎力。對元釘扎力直接求和得到MgB<,2>的磁通釘扎力，以σ band的釘扎力做為MgB<,2>單能帶情況下的釘扎力，以π band和σ band的釘扎力按貢獻比相加所得的值做為MgB<,2>雙能帶情況下的釘扎力。得到MgB<,2>單能帶和雙能帶情況下的磁通釘扎力的理論表達式。 3、由雙能帶結(jié)構(gòu)的特點和計算模型可知，能帶在釘扎力的計算當中體現(xiàn)為上臨界場和貢獻比的影響。由計算模型，畫出不同情況下(臨界場和貢獻比的不同取值)單