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文檔簡介
1、該論文較系統(tǒng)地研究了帶控制柵極碳納米管場致電子發(fā)射器件結構的制作技術及相關科學問題.論文首先用計算機軟件對閉合空間中的器件模型進行了電場強度和分布的數(shù)值計算.計算結果表明,給柵極施加5 V的偏壓,碳納米管陰極的表面電場強度可以達到10<'7>V/m,遠高于碳納米管的開啟電場和閾值電場,說明了器件的可行性.論文分別探索和比較了兩種常見的方法,即Post growth法和In-situ growth法及采用它們制作的帶控制柵極碳納米管器件的
2、結構和特性.采用Post growth法制作器件時,碳納米管陰極由熱分解化學氣相沉積法生長得到.器件制作工藝較為簡單,但是碳納米管束的形貌不整齊,器件最終的外形難以有效控制.在In-situ growth方法制作器件過程中,采用微波等離子體化學氣相沉積法可以生長高度較小的碳納米管陰極.在該方法中,由于碳納米管生長時需經歷高溫過程,絕緣層厚度受到限制,導致柵極與陰極的距離不足1 μm,碳納米管生長后極易與柵極接觸造成器件失效.此外,微波等
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