金屬表面結構對表面等離子體干涉光刻法分辨率的影響.pdf

1、光刻技術是當前半導體元器件加工業(yè)應用最為廣泛的一項技術。隨著大規(guī)模集成電路和微結構光子學元器件的迅速發(fā)展，對光刻技術的精度和分辨率要求越來越高，但是由于光學衍射極限的存在，傳統(tǒng)光刻技術的分辨率存在無法突破的極限。為了突破這一極限，許多新型的光刻技術涌現出來，例如遠紫外激光光刻法、電子束刻蝕法等等。但是這類光刻技術成本過高，無法應用到成規(guī)模的工業(yè)生產中。 表面等離子體激元具有近場局域增強和納米聚焦的突出特性，這為高分辨率的光刻技術

2、開辟了一條新的途徑?；诒砻娴入x子體激元的光刻技術已成為一個熱點研究方向。表面等離子體干涉光刻法利用波長436納米的紫外光已經將光刻的分辨率提高到了50納米。 根據這一光刻技術的原理，在金屬光柵的狹縫兩側加入對稱分布的溝槽結構，可以進一步提高光刻分辨率。同時，還可通過對溝槽結構幾何參數的改變，達到對光刻膠中光場進行精細調節(jié)的目的。 本文利用時域有限差分方法對溝槽結構光刻法的刻錄過程進行了數值模擬，并分析了溝槽結構的幾何參