雙勢(shì)壘拋物量子阱阱寬對(duì)電子磁隧穿的影響.pdf

1、自江崎和朱兆祥提出超晶格概念以來,半導(dǎo)體超晶格和量子阱中的電子輸運(yùn)現(xiàn)象就成為國(guó)際熱點(diǎn)之一。尤其是共振隧穿,人們可以沿平行于、垂直于或傾斜于半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)生長(zhǎng)方向施加磁場(chǎng)。同樣在半導(dǎo)體生長(zhǎng)技術(shù)的發(fā)展下,量子阱可以做成各種形狀,諸如方型、拋物型、三角型等。
　　本文詳盡研究了由AιGa1-χAs/GaAs材料構(gòu)成的雙勢(shì)壘拋物量子阱中電子在橫向磁場(chǎng)中的隧穿問題,計(jì)算并模擬了對(duì)稱結(jié)構(gòu)和非對(duì)稱結(jié)構(gòu)關(guān)于阱寬對(duì)電子隧穿的傳輸系數(shù)的影響。橫向磁場(chǎng)對(duì)

2、電子隧穿過程的影響較為復(fù)雜,主要原因是由于電子橫向動(dòng)量守恒被破壞。我們采用轉(zhuǎn)移矩陣?yán)碚撚?jì)算了對(duì)稱結(jié)構(gòu)和非對(duì)稱結(jié)構(gòu)對(duì)于各種阱寬的傳輸系數(shù)。發(fā)現(xiàn)隨著隨著阱寬的增加,共振峰逐漸向低能方向移動(dòng)。阱寬較小時(shí),變化劇烈;阱寬較大時(shí),變化緩慢。隨著阱寬的增加,共振峰逐漸增多,共振峰由平緩逐漸變尖銳,共振峰之間的間距逐漸減小。對(duì)稱結(jié)構(gòu)較非對(duì)稱結(jié)構(gòu)共振峰更尖銳,更易產(chǎn)生共振隧穿現(xiàn)象。對(duì)于一定的阱寬,沿異質(zhì)結(jié)生長(zhǎng)方向施加的橫向磁場(chǎng)致使共振峰向高能級(jí)移動(dòng),這