InGaN-GaN多量子阱勢(shì)壘層摻In工藝及其應(yīng)用研究.pdf_第1頁(yè)
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1、隨著LED的應(yīng)用范圍越來(lái)越廣,從最初的指示燈、顯示屏,到液晶屏幕背光源、室內(nèi)外照明等領(lǐng)域,對(duì)LED的亮度要求越來(lái)越高。尤其目前采用藍(lán)光發(fā)光二極管混合熒光粉激發(fā)的白光作為室內(nèi)外的普通照明,其LED發(fā)光效率問(wèn)題、亮度問(wèn)題就擺在最突出的位置。
　　 本項(xiàng)研究的目的是提高LED的發(fā)光效率。首先從不同角度分析了影響LED發(fā)光的內(nèi)量子效率和外量子效率的一些因素,并且詳細(xì)討論了提高LED內(nèi)量子效率和外量子效率的各種有效手段。最后就多量子阱壘層

2、摻In對(duì)LED發(fā)光效率的影響進(jìn)行了詳細(xì)研究。首先利用X射線衍射儀、光致發(fā)光譜探討了部分量子阱壘層摻In和全部量子阱壘層摻In與常規(guī)量子阱結(jié)構(gòu)在結(jié)晶質(zhì)量、多量子阱結(jié)構(gòu)特性、光致發(fā)光波長(zhǎng)(強(qiáng)度、半高寬)等方面的差異,然后把生長(zhǎng)的外延片通過(guò)常規(guī)LED正裝工藝制成芯片,測(cè)試了器件的發(fā)光特性。
　　 基于對(duì)部分阱壘層摻In與全部阱壘摻In的比較研究,我們又研究了全部阱的壘層摻雜較小的In流量梯度變化對(duì)LED發(fā)光特性的影響。根據(jù)全部阱壘層摻

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