水熱法制備低維氧化鋯晶體及其生長機(jī)理研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、本文對水熱法制備低維氧化鋯晶體及其生長機(jī)理進(jìn)行了研究。主要研究內(nèi)容如下： 第一、利用水熱方法，優(yōu)化了制備性能優(yōu)良的短棒狀氧化鋯晶體的反應(yīng)條件：溫度250℃、時(shí)間48小時(shí)、礦化劑濃度10M。并對影響一維氧化鋯晶體生長的溫度、反應(yīng)時(shí)間、礦化劑濃度、摻雜、前驅(qū)體、溶劑等因素進(jìn)行了分析探討。 第二、利用負(fù)離子配位多面體模型較好地解釋和分析了氧化鋯四方相、立方相、單斜相的生長機(jī)理。 第三、采用共沉淀法、水熱法、溶劑熱法分別

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