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文檔簡(jiǎn)介
1、本文研究了采用離子束濺射方法在硅單晶表面獲得量子點(diǎn)陣列的實(shí)驗(yàn)條件，并對(duì)其產(chǎn)生的機(jī)理做了細(xì)致地分析，研究了在束流密度大小為20μA/cm2的低束流密度正入射的Ar+離子束濺射Si(100)單晶表面后，樣品表面的形貌變化，系統(tǒng)研究了Si(100)表面濺射得到量子點(diǎn)尺寸、樣品表面粗糙度和離子束束流密度之間的關(guān)系，以及對(duì)束流密度分別為20和380μA/cm2的濺射條件下，濺射后樣品表面粗糙度和樣品表面溫度間的變化關(guān)系，利用磁控濺射技術(shù)，采用Si
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