RbI原子的自電離光譜參數(shù)及光電離光譜的研究.pdf

1、電子、光子與原子(或離子)的碰撞過程是研究原子結(jié)構(gòu)的主要方式之一。電子、光子與原子(或離子)碰撞過程中，原子(或離子)會(huì)發(fā)生自電離或光電離過程。自電離和光電離光譜數(shù)據(jù)在天體物理、等離子體物理、大氣科學(xué)、輻射物理和化學(xué)等學(xué)科都具有很強(qiáng)的應(yīng)用需求，同時(shí)自電離和光電離過程在等離子體實(shí)驗(yàn)中也有非常重要的應(yīng)用。自電離和光電離的實(shí)驗(yàn)研究難度很大，因此理論研究自電離和光電離過程有著非常重要的意義。
　　基于相對(duì)論扭曲波原理，研究了Rb I原子1

2、6個(gè)組態(tài)共420個(gè)精細(xì)結(jié)構(gòu)，得到了這些精細(xì)結(jié)構(gòu)的能級(jí)，研究了這些精細(xì)結(jié)構(gòu)之間的偶極輻射躍遷速率、振子強(qiáng)度、躍遷波長等,得到的數(shù)據(jù)同實(shí)驗(yàn)結(jié)果相比，能級(jí)誤差最大為2.3％，其他數(shù)據(jù)與現(xiàn)有數(shù)據(jù)符合的非常好；研究了電子能量為1.5（Ryd）、2（Ryd）、2.5（Ryd）、3（Ryd）、3.5（Ryd）時(shí)與Rb I原子初態(tài)4p65s2S1/2碰撞的碰撞強(qiáng)度；利用R矩陣?yán)碚撗芯苛薒S耦合下Rb I原子從基態(tài)的光電離過程，得到了光子能量在4p55s