六角晶系內半導體晶體結構的衍化.pdf

1、本文通過第一性原理計算，系統(tǒng)研究了施加單、雙軸應變時，六角晶系內典型半導體材料晶體結構的衍化，并同時計算了其能帶結構、彈性常數、聲子色散曲線等性質的變化。由于基于標準密度泛函理論(DFT)的廣義梯度近似(GGA)及局域密度近似(LDA)方法計算帶隙值偏小，所以本文使用了HSE雜化泛函理論對單、雙軸應變下纖鋅礦結構半導體的力學穩(wěn)定性以及能帶結構進行計算并對比。
　　本研究主要內容包括：⑴對ZnS施加巨大單軸壓應變時出現(xiàn)了新結構---

2、-類石墨結構，但在受到巨大雙軸拉應變時卻沒有發(fā)現(xiàn)同樣的現(xiàn)象，其原因是其彈性常數對單、雙軸應變有著不同的響應。施加單、雙軸應變時，纖鋅礦結構ZnS的能帶結構皆為直接帶隙，但只有在巨大單軸應變時，類石墨結構ZnS的能帶結構才會轉變?yōu)殚g接帶隙。這說明沿[0001]方向的單軸應變與(0001)面內的雙軸應變對纖鋅礦結構ZnS的晶體結構和電子性能的影響并不是等價的。這與之前很多的研究結果完全不同，但本文的結果與實驗值十分吻合。⑵對Al0.5Ga0