鈮酸鋰晶體近光軸電光調(diào)制及其應(yīng)用.pdf

1、電光調(diào)制廣泛的應(yīng)用在光通信、電光調(diào)Q等方面。其中電光調(diào)Q在激光雷達(dá)、激光測(cè)距、激光美容等領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用前景。電光調(diào) Q主要有兩種工作方式：一種是退壓式電光調(diào)Q，一種是加壓式電光調(diào)Q，這兩種電光調(diào)Q方式各有優(yōu)缺點(diǎn)。預(yù)偏電光調(diào)Q是在加壓式電光調(diào)Q的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)，在實(shí)際應(yīng)用中可以省去一個(gè)1/4波片，可以提高激光的輸出性能和峰值功率，但是在實(shí)際應(yīng)用中也存在一些問(wèn)題，在不同的通光方向上，激光的輸出情況不一樣；Q開(kāi)關(guān)靜態(tài)關(guān)斷時(shí)少許漏光，光束質(zhì)量

2、比完全關(guān)死時(shí)要好。本論文對(duì)預(yù)偏電光調(diào) Q存在的問(wèn)題進(jìn)行了分析。
　　另外，目前測(cè)量晶體電光系數(shù)的方法有很多，例如：半波電壓法、比較法、干涉法、直接測(cè)光強(qiáng)法等。這些測(cè)量方法都有一定的不足之處，例如：半波電壓法要求激光光源有很好穩(wěn)定性。干涉法對(duì)鎖相放大器、防震措施、外部環(huán)境、光源的穩(wěn)定性有一定的要求，同時(shí)必須首先測(cè)量出晶體的壓電系數(shù)。比較法需要首先測(cè)量出標(biāo)準(zhǔn)樣品的電光系數(shù)。直接測(cè)光強(qiáng)法對(duì)激光光源的穩(wěn)定性要求很高等等，這些方法主要測(cè)量加

3、工后的大塊晶體。另外，在合成新電光晶體的初始階段，一般都是小顆粒晶體，檢測(cè)小顆粒晶體電光系數(shù)的方法還處于空白階段。本論文設(shè)計(jì)了一種測(cè)量晶體電光系數(shù)的新方法，該方法利用近光軸電光調(diào)制的原理可以測(cè)量3LiNbO和磷酸二氫鉀（KDP）類晶體的電光系數(shù)，具有操作容易、設(shè)備簡(jiǎn)單、測(cè)試靈敏、無(wú)需防震措施和穩(wěn)定光源的優(yōu)點(diǎn)，并且對(duì)晶體尺寸大小沒(méi)有特殊要求，在探索新型電光晶體領(lǐng)域中，有望測(cè)量未知小顆粒晶體的電光系數(shù)。
　　論文分為以下幾個(gè)章節(jié)

4、>　　第一章，介紹了本論文的選題背景。首先介紹了電光調(diào) Q的應(yīng)用領(lǐng)域和各調(diào) Q方式存在的問(wèn)題。此外，還介紹了目前測(cè)量晶體電光系數(shù)方法的優(yōu)點(diǎn)以及不足之處，并針對(duì)這些問(wèn)題提出了解決方案。
　　第二章，介紹了近光軸電光調(diào)制理論。其中包括：沿光軸時(shí)晶體的線性電光效應(yīng)，近光軸時(shí)晶體的線性電光效應(yīng)以及在正交偏振鏡中出射光的干涉強(qiáng)度。
　　第三章，利用近光軸電光調(diào)制的方法進(jìn)行預(yù)偏電光調(diào)Q，從而獲得脈沖激光。本論文計(jì)算出鈮酸鋰晶體預(yù)偏角度為

5、 o3.96，對(duì)不同的通光方向激光輸出情況不一樣和 Q開(kāi)關(guān)靜態(tài)關(guān)斷時(shí)少許漏光，光束質(zhì)量比完全關(guān)死時(shí)要好進(jìn)行了分析，另外，根據(jù)近光軸電光調(diào)制的原理，測(cè)量了鈮酸鋰晶體的電光系數(shù)。對(duì)于3LiNbO和KDP類的晶體，當(dāng)光的傳播方向在感應(yīng)主軸方向上時(shí)，此時(shí)的電光效應(yīng)是線性的，通過(guò)加電場(chǎng)和不加電場(chǎng)，來(lái)觀察干涉環(huán)的變化，當(dāng)干涉環(huán)向一定的方向移動(dòng)?/2時(shí)，此時(shí)對(duì)晶體所加的電壓就是晶體的半波電壓。根據(jù)半波電壓計(jì)算出鈮酸鋰晶體的電光系數(shù)。
　　第四章