CHF-,3-等離子體處理對(duì)SiCOH薄膜性能的影響.pdf

1、隨著超大規(guī)模集成電路的特征尺寸不斷縮小，微電子器件的集成度不斷提高，由器件內(nèi)部金屬連線的電阻和絕緣介質(zhì)層的電容所形成的阻容(RC)耦合增大，從而使信號(hào)傳輸延時(shí)、干擾噪聲增強(qiáng)和功率耗散增大。要解決這些問(wèn)題，就要采用新的低電阻率連線材料和低介電常數(shù)絕緣材料來(lái)取代目前所采用的Al/SiO2材料架構(gòu)。作為SiO2的替代材料，多孔的SiCOH低介電常數(shù)材料和超低介電常數(shù)材料已引起了人們廣泛的關(guān)注。作為Al的替代物，銅由于其更低的電阻率，已作為互連

2、線應(yīng)用，使互連線的電阻率降低了40％。 在超大規(guī)模集成電路的制造工藝中，SiCOH低后薄膜材料的刻蝕過(guò)程極其重要。由于SiCOH薄膜中存在孔隙，要實(shí)現(xiàn)SiCOH薄膜刻蝕過(guò)程的精確控制，要求刻蝕時(shí)采用富含F(xiàn)的碳氟等離子體。但是，在刻蝕過(guò)程中，SiCOH薄膜的結(jié)構(gòu)將發(fā)生變化，同時(shí)也可能在SiCOH薄膜的表面發(fā)生碳氟薄膜的沉積，這些結(jié)構(gòu)的變化和碳氟薄膜的沉積對(duì)Cu/SiCOH集成結(jié)構(gòu)的電性能、C-V特性以及SiCOH薄膜的疏水性將產(chǎn)生