CdSe@ZnS量子點(diǎn)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及其光電性能研究.pdf

1、量子點(diǎn)發(fā)光材料具有發(fā)射峰窄、發(fā)光效率高、光譜可調(diào)、熒光壽命長(zhǎng)、溶液穩(wěn)定性好等特性，非常適合用作虛擬實(shí)境（Virtual Reality簡(jiǎn)稱VR）、車載顯示器、智能手機(jī)、平板電腦等顯示設(shè)備的發(fā)光材料。將量子點(diǎn)應(yīng)用于平板顯示技術(shù)即量子點(diǎn)發(fā)光二極管(QLED)。QLED具有高亮度、較好穩(wěn)定性、高色彩飽和度、廣色域等優(yōu)勢(shì)，在新一代顯示技術(shù)中具有強(qiáng)有力的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。第一代有機(jī)發(fā)光二極管是一種小分子有機(jī)器件，采用三明治夾層結(jié)構(gòu)構(gòu)成有機(jī)雙層結(jié)構(gòu)。但是高

2、效率的 OLED需要一個(gè)多層結(jié)構(gòu)來(lái)平衡載流子的傳輸，便于激子復(fù)合發(fā)光。20世紀(jì)90年代后期，有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)變得更加復(fù)雜，由載流子注入層、載流子傳輸層、激子復(fù)合層以及發(fā)光層構(gòu)成多層結(jié)構(gòu)的器件。多層器件可以通過(guò)真空熱蒸鍍的方法沉積得到，但這種方法也存在許多缺點(diǎn)，如材料利用率低、擴(kuò)展性差、成本高和圖案化困難等。溶液旋涂法可以減少制造成本，經(jīng)過(guò)不斷的探索和研究，使用溶液旋涂法進(jìn)行 QLED發(fā)光器件的組裝，這種方法大大簡(jiǎn)化了加工工藝，降低了

3、生產(chǎn)成本，便于制作大面積的發(fā)光器件，這種方法越來(lái)越得到人們的廣泛關(guān)注。
　　根據(jù)載流子傳輸層的不同，可以將量子點(diǎn)發(fā)光二極管分為無(wú)機(jī)載流子傳輸層QLED和有機(jī)載流子傳輸層QLED，雖然無(wú)機(jī)載流子傳輸層有一定的空氣穩(wěn)定性，但是空穴和電子不均衡，電子注入速率過(guò)大，而空穴注入速率小，這種載流子傳輸速率的不平衡，造成了量子點(diǎn)充電以及熒光淬滅。因此，選擇合適的載流子傳輸層至關(guān)重要。
　　針對(duì)QLED存在的問(wèn)題，本文開(kāi)展了如下的研究工作：

4、
　　(1)采用溶液法制備出 CH3NH3PbBr3量子點(diǎn)，以N-N二甲基甲酰胺（DMF）做良溶劑，以CH3NH3PbBr和PbBr2做前驅(qū)體，將混合溶液注入到不良溶劑甲苯中，通過(guò)控制不良溶劑甲苯的溫度調(diào)控鈣鈦礦量子點(diǎn) CH3NH3PbBr3納米晶的尺寸，并通過(guò)不同的表面活性劑和反應(yīng)時(shí)間的長(zhǎng)短來(lái)控制鈣鈦礦納米晶的形貌。所合成的CH3NH3PbBr3量子點(diǎn)的量子產(chǎn)率高達(dá)89.6％。量子點(diǎn)粒徑分布均勻，并且具有較高的熒光強(qiáng)度。

5、　　(2)采用微流體法成功制備了核-殼結(jié)構(gòu)的 CdSe@ZnS量子點(diǎn)。分別采用 CdO、TOP和Se作為前驅(qū)體，以十八烯（ODE）為溶劑，通過(guò)改變合成的工藝參數(shù)在可見(jiàn)光范圍內(nèi)對(duì)發(fā)光光譜進(jìn)行調(diào)控，得到高熒光壽命、高量子產(chǎn)率和具有環(huán)境穩(wěn)定性的 CdSe@ZnS量子點(diǎn)溶液。
　　(3)以微流體法合成的CdSe@ZnS膠體量子點(diǎn)做發(fā)光層材料，采用旋涂法成功組裝ITO/PEDOT:PSS/Poly-TPD/CdSe@ZnS/PCBM/LiF