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文檔簡介
1、因其諸多優(yōu)越的性質，膠體量子點(QDs)技術在過去30年里迅猛發(fā)展，逐漸應用于生產、科研中的各個領域。而Ⅱ-Ⅵ族半導體量子點材料具有優(yōu)越的量子產率、色純度與光色可調性，是制備LED器件的理想材料。從1994年加州大學的Alivisatos等首次研制出膠體量子點LED(QLED)以來，量子點電致發(fā)光器件在材料、器件結構、制備工藝等方面都有了長足的進步。這些技術進步還伴隨著人們對量子點電致發(fā)光效應背后的相關物理過程愈加深入的理解。然而，由于
2、QD層的大帶隙引起的電荷注入困難，藍色QLED的性能目前顯然劣于綠色和紅色的性能。
本文中，我們引入了一種部分自然氧化鋁陰極(Al∶Al2O3)，利用ZnCdS/ZnS核殼結構量子點作為發(fā)光材料，制備了性能優(yōu)良的藍光量子點LED器件。器件的亮度達13000cd/m2，最高電流效率1.1cd/A，并且有著457nm的電致發(fā)光峰與20.8nm的半峰寬，展現出純凈的深藍發(fā)射光。我們還對自然氧化制備的Al∶Al2O3進行了一系列表征分
3、析，證實了其對電子注入與激子有效復合的促進作用。這種自然氧化方法工藝簡單價格低廉，為QLED中電子注入層/陰極的制備提供了新的思路。
在Al∶Al2O3陰極的基礎上，本文還將ZnO納米顆粒作為電子傳輸層插入量子點層與陰極之間制備LED器件，并調節(jié)ZnO層制備的條件，進一步提高了器件的性能。通過調控ZnO層退火的條件控制載流子注入的平衡，我們最終制備出了亮度高達37000cd/m2，電流效率4.5cd/A的高性能藍光量子點LED
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