脈沖激光沉積法制備高質量ZnO薄膜及其緩沖層的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、氧化鋅(ZnO)是一種寬帶隙(室溫下3.3eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體，激子結合能為60meV，具有六方纖鋅礦結構。ZnO薄墨菊有良好的透明導電性、壓電性、光電性、氣敏性和壓敏性，且易于與多種半導體材料實現(xiàn)集成化。由于這些優(yōu)異的性質，使其具有廣泛的用途和許多潛在用途，如聲表面波器件、平面光波導、透明電極、紫外光探測器、壓電器件、壓敏器件、紫外發(fā)光器件和氣敏傳感器等。近年來，對其研究和開發(fā)在國內(nèi)外科學界及工業(yè)部門引起了極大的關注和興趣。

2、 本文通過采用脈沖激光沉積法在單晶Si(100)襯底上生長了沿c軸高度取向的高質量ZnO薄膜。襯底溫度、環(huán)境氧壓、脈沖頻率是影響薄膜質量非常重要的三個因素。通過AFM、XRD和PL譜測試研究這三個因素對所制備薄膜的表面形貌、結晶性能和光學性質的影響。進行了ZnO薄膜可控生長方面的研究，對ZnO薄膜的制備條件進行了優(yōu)化。 論文進行了ZnO薄膜緩沖層的研究。ZnO與Si襯底失配度較大，所生成ZnO薄膜的質量受到影響。本文引入了緩

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