脈沖激光沉積法制備硅基摻Mn硅酸鋅薄膜.pdf

1、摻Mn硅酸鋅發(fā)光材料由于發(fā)光效率高、穩(wěn)定性好、飽和色高以及制備工藝可與硅集成電路工藝兼容等優(yōu)點(diǎn)，具有在硅基光電器件中的潛在應(yīng)用前景。至今人們已經(jīng)采用多種薄膜生長技術(shù)來制備摻Mn硅酸鋅薄膜材料。相比其他薄膜生長技術(shù)，脈沖激光沉積(PLD)法具有能保持薄膜組分與靶材一致等優(yōu)點(diǎn)，在多元氧化物薄膜制備方面有著獨(dú)特的優(yōu)勢。因此，開展脈沖激光沉積法制備硅基摻Mn硅酸鋅薄膜的研究具有非常重要的意義。 本文在總結(jié)摻Mn硅酸鋅材料制備研究現(xiàn)狀的基

2、礎(chǔ)上，利用脈沖激光沉積技術(shù)在硅襯底上制備了摻Mn硅酸鋅薄膜，并利用X射線衍射儀(XRD)、傅立葉變換紅外光譜儀(FTIR)、場發(fā)射掃描電鏡(FESEM)、熒光光譜儀(PL)對摻Mn硅酸鋅薄膜的結(jié)構(gòu)性能和光學(xué)性能進(jìn)行了測試和分析，研究了熱處理溫度、激光頻率、激光能量密度、襯底溫度、氧氣壓強(qiáng)等工藝參數(shù)對薄膜性能的影響及其影響機(jī)理。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：當(dāng)熱處理溫度為1000℃時，薄膜結(jié)晶性能最好，而900℃下薄膜在525m處光致發(fā)光峰達(dá)到