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1、本文首先介紹了密度泛函理論和基于2n+1定理的密度泛函微擾理論，陳述了研究材料電光張量的意義及其在密度泛函微擾理論中的分解表達(dá)式（根據(jù)玻恩—奧本海默近似，電光張量由電子和離子兩部分的貢獻(xiàn)構(gòu)成）。為了分析電光材料巨電光系數(shù)的來源，我們選擇了結(jié)構(gòu)相同且同為III-V族化合物但有著迥然不同電光特性的砷化鎵（GaAs）和立方氮化硼（c-BN）進(jìn)行對(duì)比分析。我們使用基于第一原理密度泛函微擾理論的方法對(duì)GaAs和c-BN的電光張量進(jìn)行了分析計(jì)算，并
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