CdS、ZnS及SiO-,2-包裹納米球γ—射線輻射法制備.pdf

1、半導體納米材料由于其獨特的物理化學性質以及潛在的應用價值而成為了當今基礎研究與應用研究的熱點之一。γ-射線輻射法是制備無機納米材料簡單而有效的一種方法。本研究將電離輻射技術應用于半導體納米材料制備技術中，研究不同體系與條件下，γ-射線輻射法對半導體納米材料的可控行為，發(fā)展和優(yōu)化半導體納米材料制備新方法。利用60Coγ-射線輻射技術，常溫常壓下成功地制備了半導體硫化物(ZnS、CdS)納米球，然后將其表面包裹了不同厚度的SiO2薄膜；并初

2、步探討了納米球形成的可能機理和影響因素。相關實驗是應用輻射化學新體系研究的有益探索與嘗試，為未來相關合成提供一定的指導與參考。其主要內容可歸納如下幾點： 1.利用γ-射線輻射法，以水溶性高分子PVP為助劑，簡單一步過程獲得了半導體化合物ZnS納米球，其直徑大小為100nm左右。通過改變反應濃度、吸收劑量、壓強等反應條件，以ZnSO4和Na2S2O3為原料，逐漸摸索出一種制備單分散性好、尺寸可控納米球的方法。并在此基礎上，進一步討

3、論了形成ZnS納米球的可能機理。同時，用X-射線衍射(XRD)、TEM、SEM等實驗手段對其結構進行了表征。 2.通過控制合適的反應條件，利用γ-射線輻照CdCl2和Na2S2O3溶液體系成功合成了CdS納米球，直徑大小為60nm左右；且得到的產物分散性、均勻性都很好。與ZnS納米球制備條件相比，反應條件更易于控制，這可能與CdS本身的物性有關。 3.在堿性條件下，利用正硅酸乙酯(TEOS)可水解產生SiO2的特性，進而