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1、憶阻器是一種具有記憶功能的非線性電阻。而分?jǐn)?shù)階微積分適合描述非線性特性。近年來已經(jīng)有研究人員構(gòu)建了憶阻器的分?jǐn)?shù)階數(shù)學(xué)模型,并對(duì)該模型的特性進(jìn)行了相應(yīng)的研究。憶阻器分?jǐn)?shù)階模型可以更好地描述憶阻器的非線性特性,因此具有較大的研究和和應(yīng)用意義。
本文在分析現(xiàn)有憶阻器模型的基礎(chǔ)上,提出了一種帶有非線性窗函數(shù)的荷控憶阻器分?jǐn)?shù)階數(shù)學(xué)模型,通過數(shù)學(xué)仿真驗(yàn)證了該模型的正確性,并研究了非線性窗函數(shù)的控制參數(shù)、分?jǐn)?shù)階階次和激勵(lì)信號(hào)的頻率對(duì)該模型時(shí)
2、域和頻域特性的影響。介紹了現(xiàn)有的憶阻器整數(shù)階SPICE模型,在此基礎(chǔ)上提出了一種荷控憶阻器分?jǐn)?shù)階SPICE模型,通過PSPICE仿真軟件研究了分?jǐn)?shù)階的階次和非線性窗函數(shù)的控制參數(shù)對(duì)該模型時(shí)域響應(yīng)特性的影響。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,該模型能正確地描述憶阻器的特性。同時(shí),本文也研究了憶阻器分?jǐn)?shù)階SPICE模型在電路領(lǐng)域中的一個(gè)簡(jiǎn)單應(yīng)用,分析了分?jǐn)?shù)階階次、窗函數(shù)的控制參數(shù)、電容值和電感值對(duì)RmC串聯(lián)電路、RmL串聯(lián)電路和RmCL并聯(lián)電路特性的影響,這對(duì)
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