硅酸鎵鑭及其同構體單晶的生長、電光及其它性能的研究.pdf

1、電光Q開關是用于脈沖激光器中使之產(chǎn)生高能激光的重要器件.目前,常用的晶體電光Q開關主要是用DKDP和LiNbO<,3>晶體制作的.DKDP晶體光損傷閾值高,光學均勻性好,其電光Q開關一般在中、高功率激光器中使用.缺點在于DKDP晶體的電光Q開關利用晶體的縱向電光效應,器件半波電壓高,且不可調;而且DKDP是水溶性晶體,容易潮解,在加工和使用過程中要加復雜的防潮裝置,使用與維護不方便;此外,DKDP晶體為亞穩(wěn)相生長,晶體生長難度大,周期長

2、.LiNbO<,3>晶體制作的電光Q開關,利用晶體的橫向電光效應,可以通過改變器件尺寸調節(jié)半波電壓,LiNbO<,3>晶體采用提法拉生長,容易得到大尺寸單晶,其物理化學性質穩(wěn)定,不潮解;但LiNbO<,3>晶體的光損傷閾值太低,大大限制了晶體的應用,其電光Q開關只能應用于小功率激光器中.因此,尋找新的電光晶體,制作性能更優(yōu)的電光Q開關有重要的應用價值.硅酸鎵鑭(La<,3>Ga<,5>SiO<,14>,LGS)晶體在八十年初是作為激光晶

3、本來研究的,隨后其優(yōu)異的壓電性能成為人們關注的熱點,大量文獻報道了LGS晶體的生長和壓電性能.LGS同構體單晶包括La<,3>Ga<,5.5>Ta<,0.5>O<,14>(LGT)、La<,3>Ga<,5.5>Nb<,0.5>O<,14>(LGN)以及Sr<,3>TaGa<,3>Si<,2>O<,14>(STGS)等晶體,他們與LGS晶體具有相同的結構,也有良好的壓電性能,近年來也常有報道.實驗測試發(fā)現(xiàn)LGS晶體具有較高的電光系數(shù)是該文